




AO4800B
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列,封装:8-SOIC
- 技术参数:MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC
- (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
AO4800B参数详情:
在追求极致效率与可靠性的电子设计领域,一颗卓越的功率开关器件往往是决定产品成败的关键。今天,我们向您隆重推荐一款历经市场验证、性能卓越的经典之作AO4800B。它不仅仅是一个双N沟道MOSFET阵列,更是您提升系统性能、简化设计流程、降低整体成本的得力助手。凭借其出色的电气特性和坚固的物理封装,AO4800B已经帮助无数工程师将创意转化为稳定可靠的产品,无论是面对严苛的工业环境还是追求轻薄便携的消费电子应用,它都能游刃有余,成为您电路设计中值得信赖的基石。
想象一下,在您的电源管理模块中,需要高效同步整流或负载开关;在您的电机驱动电路里,要求快速响应和低损耗控制;或者在各类便携设备的电池保护及功率分配单元中,追求紧凑布局与低热耗散。AO4800B正是为这些场景而生。其30V的耐压和6.9A的连续电流能力,足以应对大多数中低功率场景的挑战。更重要的是,其逻辑电平门控特性意味着您可以直接用微控制器或低电压逻辑电路轻松驱动,无需复杂的电平转换,大大简化了前级驱动设计。从-55°C到150°C的广阔工作结温范围,让它无惧严寒酷暑,确保您的产品在多样化的环境中稳定运行,这种可靠性正是赢得市场信任的基石。
那么,在众多选择中,为何AO4800B值得您特别关注?答案在于它精准平衡的性能参数与极高的设计友好度。仅27毫欧的超低导通电阻(在6.9A,10V条件下),意味着更低的导通损耗和发热,直接提升了系统的整体能效,让您的产品更省电、更凉爽。极低的栅极电荷(7nC @ 4.5V)和输入电容,确保了超快的开关速度,减少开关损耗,特别适合高频开关应用。所有这些优势,都被集成在标准的8-SOIC封装内,便于自动化贴装,节省宝贵的PCB空间。虽然该型号已处于停产状态,但其成熟的设计和广泛的成功应用案例,使其成为特定项目或库存备料的绝佳选择。为确保您能获得正品货源与专业的技术支持,我们强烈建议您通过官方授权的AOS一级代理进行采购,这不仅是品质的保障,更是项目顺利推进的坚实后盾。选择AO4800B,就是选择了一份经过时间淬炼的可靠与高效。
- 型号:AO4800B
- 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 配置:2 N-通道(双)
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源电压(Vdss):30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.9A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):27 毫欧 @ 6.9A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):7nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):630pF @ 15V
- 功率 - 最大值:2W
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:8-SOIC
- AO4800B的官网价格:3000:$0.23880,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。



























