




AOB10N60L
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-263(D2PAK)
- 技术参数:MOSFET N-CH 600V 10A TO263
- (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
AOB10N60L参数详情:
在追求极致能效与可靠性的电力电子设计领域,一颗卓越的功率开关器件往往是决定产品成败的关键。今天,我们向您隆重介绍一款集高性能与高可靠性于一身的明星产品AOB10N60L。它不仅仅是一个参数表上的型号,更是您提升系统效率、简化设计流程、赢得市场竞争的得力伙伴。凭借其出色的电气特性和坚固的物理结构,它正成为众多工程师在高压、高功率应用中的首选方案。
想象一下,在您的开关电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电路或电机驱动控制板中,需要一颗能够稳定承受600V高压、流畅处理10A电流的“心脏”。这正是AOB10N60L大显身手的舞台。无论是工业变频器、不间断电源(UPS),还是高效能的LED照明驱动和适配器,这颗芯片都能以其卓越的开关性能和低导通损耗,确保系统运行平稳高效,有效降低整体能耗和温升,让您的终端产品在能效标准和可靠性上脱颖而出。
那么,在众多同类产品中,为何众多设计者最终将信任票投给了AOB10N60L?答案在于它精准平衡了性能、易用性与成本。其低至750毫欧的导通电阻(Rds(on))意味着更小的导通损耗和更高的效率;优化的栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss)让开关过程更快、驱动更轻松,有助于提升系统频率并降低驱动电路的设计复杂度。采用坚固的TO-263(DPak)封装,提供了优异的散热能力和功率耗散(高达250W),确保在-55°C至150°C的严苛温度范围内稳定工作。选择它,就是选择了一份经过市场验证的安心与高效。如果您正在寻找稳定可靠的供货渠道和专业的技术支持,我们推荐您通过官方授权的AOS代理进行采购,以确保获得原厂正品和完整的服务保障。
总而言之,AOB10N60L不仅仅是一个组件,它是一个解决方案,一个承诺。它承诺为您的设计注入强劲动力,承诺以卓越的稳定性守护系统长久运行,承诺以优异的性价比帮助您控制成本。当您下一次为高压大电流应用选型时,请务必考虑这颗来自AOS的匠心之作,让它成为您打造下一代高效、可靠电力电子产品的基石,共同开启能效新篇章。
- 型号:AOB10N60L
- 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
- 封装:TO-263(D2PAK)
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO263
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:不适用于新设计
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):750 毫欧 @ 5A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):40 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1600 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):250W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-263(D2PAK)
- 封装/外壳:TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
- AOB10N60L的官网价格:1:$2.19000|800:$0.76459,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。



























