AOB25S65L

在追求极致效率与可靠性的电力电子世界，一颗强大的核心往往能决定整个系统的成败。今天，我们为您隆重介绍AOB25S65L，这颗来自AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）的aMOS系列高性能N沟道MOSFET，正是您一直在寻找的解决方案。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、降低系统成本、赢得市场竞争的关键钥匙。凭借其高达650V的漏源电压和25A的连续漏极电流承载能力，它天生就是为应对严苛的高压、大功率环境而生，为您带来前所未有的信心与保障。

想象一下，在您的服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）或太阳能逆变器中，AOB25S65L正以其卓越的性能默默工作。它那低至190毫欧的导通电阻（Rds(On)），意味着在开关过程中更少的能量以热量的形式被浪费，直接为您带来更高的系统效率和更低的运营成本。同时，优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，使得开关速度更快、驱动更轻松，有效降低了开关损耗，让您的电源设计在高频化道路上走得更稳、更远。无论是面对工业环境的持续高负荷，还是消费电子中对空间与散热的严苛要求，它都能游刃有余。

选择AOB25S65L，就是选择了一份经得起考验的可靠性。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C结温）和高达357W的功率耗散能力，确保了它在各种极端条件下依然稳定如山。TO-263（DPak）的表面贴装封装，不仅提供了优异的散热性能，也兼容现代化的自动化生产流程，助力您快速实现产品量产。当您需要这样一颗集高性能、高可靠性于一体的芯片时，请务必通过官方AOS授权代理进行采购，以确保获得原装正品和完整的技术支持。让AOB25S65L成为您下一个明星产品的强大心脏，共同开启高效、节能的电力新时代。

• 型号:AOB25S65L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 25A TO263
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 12.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1278 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:357W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• AOB25S65L的官网价格：1:$5.65000|800:$2.12784，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。