AOB27S60L

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，一颗强大的核心往往决定了整个系统的成败。今天，我们为您隆重介绍AOB27S60L，这颗来自AOS aMOS家族的N沟道功率MOSFET，正是您构建高效、稳定电源解决方案的卓越基石。它不仅仅是一个电子元件，更是您释放设计潜能、提升产品竞争力的关键钥匙。

想象一下，在工业电机驱动、服务器电源、太阳能逆变器或是不间断电源（UPS）等严苛的应用场景中，系统需要承受高电压、大电流的持续考验，同时还要保证快速响应与低损耗。AOB27S60L正是为此而生。其高达600V的漏源电压和27A的连续漏极电流承载能力，为您的设计提供了坚实的安全边际。更令人振奋的是，它采用了先进的MOSFET技术，在10V驱动电压下，导通电阻低至160毫欧，这意味着在开关过程中，能量损耗被大幅降低，热量产生更少，从而让您的系统运行得更凉爽、更持久，直接转化为更高的整机效率和更长的使用寿命。

为何众多工程师在面临关键选型时，会将目光聚焦于此？答案在于其卓越的综合性能与可靠性。TO-263（DPak）的表面贴装封装不仅提供了优异的散热性能，支持高达357W的功率耗散，也适应了现代自动化生产的需要。-55°C至150°C的宽广工作结温范围，确保它能在从寒冷到酷热的各类环境中稳定工作。更低的栅极电荷（Qg@10V仅26nC）和输入电容，意味着它开关速度更快，驱动更容易，有助于您设计出频率更高、体积更小的电源拓扑。当您寻求一个能平衡高性能、高可靠性与出色性价比的解决方案时，AOB27S60L无疑是经过市场验证的明智之选。如需获取样品或技术支持，我们的官方AOS代理商网络随时准备为您提供专业服务。

选择AOB27S60L，就是选择了一份对品质的承诺和对效率的极致追求。它承载着AOS领先的半导体技术，致力于帮助您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出，赢得终端用户的信赖。立即将它纳入您的设计，亲身体验它如何化繁为简，为您的电力世界注入强劲而高效的核心动力。

• 型号:AOB27S60L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 27A TO263
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):27A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1294 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:357W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• AOB27S60L的官网价格：1:$5.67000|800:$2.13844，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。