AOB29S50L

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，一颗强大的核心器件往往能彻底改变设计的格局。今天，我们为您隆重介绍AOB29S50L来自AOS aMOS家族的N沟道功率MOSFET，它不仅是一个组件，更是您释放设计潜能、构建下一代高效能系统的关键钥匙。凭借其500V的高耐压与29A的强劲电流处理能力，这颗芯片天生就是为应对严苛挑战而生，让您的产品在激烈的市场竞争中，拥有无与伦比的性能基石。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）或是高功率LED照明系统中，能量转换的效率与稳定性直接决定了产品的成败。AOB29S50L正是为此类高压、大电流应用场景量身打造。其卓越的导通电阻（低至150毫欧）意味着更低的传导损耗，而优化的栅极电荷（仅26.6nC）则确保了超快的开关速度，两者结合，显著提升了系统的整体效率，让热量更低，运行更安静，寿命更长久。无论是应对工业环境中的频繁启停，还是满足数据中心对能源效率的严苛要求，它都能游刃有余，成为工程师最值得信赖的伙伴。

选择AOB29S50L，就是选择了一份安心与超越。AOS先进的aMOS技术赋予了它坚固耐用的品质，宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）让它无惧严寒酷暑，而经典的TO-263（DPak）封装则兼顾了出色的散热性能与成熟的工艺兼容性。这意味着您的设计不仅能获得顶级的电气性能，还能大幅简化热管理设计，加速产品上市进程。当您寻求可靠、高性能的功率解决方案时，与值得信赖的AOS代理合作，获取正品AOB29S50L及相关技术支持，无疑是迈向成功最明智的一步。让它为您的创意注入强大动力，共同开启高效、可靠的新篇章。

• 型号:AOB29S50L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 29A TO263
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):29A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:150 毫欧 @ 14.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.9V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1312 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:357W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• AOB29S50L的官网价格：1:$6.30000|800:$2.41735，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。