




AOB600A70L
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-263(D2PAK)
- 技术参数:MOSFET N-CH 700V 8.5A TO263
- (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
AOB600A70L参数详情:
在追求极致能效与可靠性的电力电子世界,一颗强大的核心往往决定了整个系统的成败。今天,我们为您隆重介绍AOB600A70L来自AOS aMOS5家族的明星产品,它不仅是一颗参数卓越的N沟道MOSFET,更是您提升产品竞争力、实现设计突破的得力引擎。想象一下,将高达700V的耐压能力与8.5A的连续电流承载能力融为一体,同时保持超低的导通损耗,这意味着您的电源系统能够在更宽的电压范围内稳定工作,将更多的电能高效转化为动力,而非无谓的热量。这正是AOB600A70L为您带来的核心价值:在严苛的环境中提供坚如磐石的性能,同时显著提升整体能效。
无论是工业电机驱动中需要应对瞬间高压冲击,还是开关电源(SMPS)里追求更高的功率密度和转换效率,甚至是电动汽车充电桩、太阳能逆变器等对可靠性与寿命有着苛刻要求的新能源领域,AOB600A70L都能大显身手。其TO-263(D2Pak)封装不仅提供了优异的散热性能,确保在104W的功率耗散下依然稳定,其表面贴装的设计也完美契合现代自动化生产的需求,让您的制造流程更流畅。当您的设计面临高温、高压、高电流的多重考验时,这颗芯片就是您最值得信赖的伙伴,它能轻松驾驭从-55°C到150°C的广阔工作温度范围,确保设备在极端环境下依然持续稳定输出。
选择AOB600A70L,就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。AOS先进的aMOS5技术平台,赋予了它仅为600毫欧的超低导通电阻(在10V驱动下),以及优化的栅极电荷特性,这直接转化为更低的开关损耗和驱动损耗,让您的系统整体效率再上一个台阶。这意味着更少的能源浪费、更小的散热器尺寸以及更长的设备使用寿命。当您致力于打造更节能、更紧凑、更可靠的下一代产品时,AOB600A70L提供的不仅仅是参数,更是一个经过优化的高性能解决方案。如需获取样品或进行批量采购,我们的官方AOS代理商网络将为您提供全方位的技术支持与便捷服务。立即采用AOB600A70L,让它成为您产品设计中那颗最闪亮、最可靠的核心,共同开启高效电能管理的新篇章。
- 型号:AOB600A70L
- 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
- 封装:TO-263(D2PAK)
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 700V 8.5A TO263
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):700 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.5A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):600 毫欧 @ 2.5A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):15.5 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):870 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):104W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-263(D2PAK)
- 封装/外壳:TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
- AOB600A70L的官网价格:800:$1.16733,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。



























