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AOB9N70L

  • 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-263(D2PAK)
  • 技术参数:MOSFET N-CH 700V 9A TO263
  • (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

AOB9N70L参数详情:

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界里,一颗强大的核心开关器件往往是决定系统成败的关键。今天,我们向您隆重介绍AOB9N70L来自AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)的一款高性能N沟道功率MOSFET。它不仅仅是一个组件,更是您提升产品性能、简化设计挑战、赢得市场竞争的得力伙伴。凭借其卓越的700V高耐压与9A的强劲电流处理能力,这颗芯片为您的电源方案注入了澎湃动力与坚实保障,让高效与稳定触手可及。

想象一下,在那些对效率和可靠性要求严苛的应用场景中,AOB9N70L正大显身手。无论是工业级开关电源(SMPS)中的主功率开关,还是电机驱动、不间断电源(UPS)或光伏逆变器中的关键功率转换环节,它都能从容应对。其高达236W的功率耗散能力,结合TO-263(DPak)封装带来的优异散热性能,确保系统即使在-55°C至150°C的宽温范围内也能持续稳定运行,无惧严苛环境挑战。这意味着,您的设备将拥有更长的使用寿命和更低的故障率,为用户带来持久安心的体验。

为什么众多工程师在面临选型时,会倾向于选择AOB9N70L?答案在于它精准平衡的性能与易用性。仅需10V驱动电压即可实现优异的导通特性,其1.2欧姆的低导通电阻(在4.5A,10V条件下)能显著降低导通损耗,提升整体能效。同时,优化的栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss)参数,让开关过程更为迅速、干净,有助于减少开关损耗并简化驱动电路设计。这不仅让您的电源系统跑得更“快”、更“省”,也大大缩短了开发周期。当您需要获取这颗性能之星或进行技术咨询时,请务必通过官方AOS授权代理渠道,以确保获得原装正品与完备的技术支持服务,为您的项目成功保驾护航。

选择AOB9N70L,就是选择了一份经过市场验证的可靠性与面向未来的高效能。它承载着AOS先进的MOSFET技术,以扎实的参数和稳健的表现,默默支撑着无数电力电子设备的可靠心脏。让它成为您下一个明星产品的力量之源,共同开启能效新纪元,创造更大价值。

  • 型号:AOB9N70L
  • 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
  • 封装:TO-263(D2PAK)
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 700V 9A TO263
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):700 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.2 欧姆 @ 4.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):35 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1630 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):236W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:TO-263(D2PAK)
  • 封装/外壳:TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
  • AOB9N70L的官网价格:,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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