




AOC2403
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:4-AlphaDFN(0.97x0.97)
- 技术参数:MOSFET P-CH 20V 1.8A 4ALPHADFN
- (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
AOC2403参数详情:
在追求极致能效与紧凑设计的电子世界里,一颗卓越的功率开关器件往往是决定产品成败的关键。今天,我们为您隆重介绍一款在小型化与高性能之间取得完美平衡的解决方案AOC2403。这款由业界领先的功率半导体制造商AOS精心打造的P沟道MOSFET,以其卓越的电气特性和超小的封装尺寸,正重新定义着便携式设备、物联网终端以及各类消费电子的电源管理标准。选择它,不仅仅是选择了一个元器件,更是为您的产品注入了高效、可靠的核心动力。
想象一下,您手中的智能手表需要更长的续航,您设计的蓝牙耳机渴望更轻薄的机身,或是您开发的便携式医疗设备要求极高的可靠性。AOC2403正是为这些挑战而生的。其20V的漏源电压和1.8A的连续漏极电流能力,足以轻松应对各类电池供电设备的负载开关、电源路径管理和信号切换需求。无论是智能手机中的背光控制、可穿戴设备的电源隔离,还是平板电脑的USB端口保护,这颗芯片都能以极低的导通电阻(低至95毫欧)和出色的开关特性,最大限度地减少功率损耗,将每一份电能都高效地转化为产品性能,让您的终端用户体验到更持久的续航与更迅捷的响应。
为何众多领先的设计师都将AOC2403作为其首选?答案在于它无与伦比的综合价值。首先,其1.5V的低驱动电压门槛,使其能够与大多数现代低功耗微处理器和逻辑电路完美兼容,简化了您的驱动电路设计。其次,超低的栅极电荷和输入电容确保了极快的开关速度,这对于需要高频切换的应用至关重要,能显著提升系统整体效率。更重要的是,它采用了先进的4-AlphaDFN(0.97x0.97mm)封装,在几乎不占用PCB空间的前提下,提供了优异的散热性能,支持高达150°C的结温工作,保障了产品在严苛环境下的稳定运行。这一切优势,都通过我们值得信赖的AOS总代理为您提供稳定供应与全面技术支持,确保您的项目从设计到量产一路畅通。
在元器件选择上,细节决定高度,性能决定未来。AOC2403不仅仅是一个参数表上的优秀器件,它更是AOS深厚技术底蕴与对市场深刻理解的结晶。它帮助您攻克空间限制,提升能源效率,并最终打造出更具市场竞争力的产品。当您下一次为寻找一颗可靠、高效、小巧的P-MOSFET而思索时,请务必让AOC2403成为您设计方案中的闪耀明星,它将不负所托,成为您产品成功的坚实基石。
- 型号:AOC2403
- 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
- 封装:4-AlphaDFN(0.97x0.97)
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 20V 1.8A 4ALPHADFN
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):20 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.8A(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):95 毫欧 @ 1A,4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):4.8 nC @ 4.5 V
- Vgs(最大值):±8V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):405 pF @ 10 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):450mW(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:4-AlphaDFN(0.97x0.97)
- 封装/外壳:4-SMD,无引线
- AOC2403的官网价格:None,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。



























