AOD2N60A

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界中，一颗强大的核心开关器件往往是决定产品成败的关键。今天，我们为您隆重介绍来自AOS的明星产品AOD2N60A。这款N沟道功率MOSFET，以其高达600V的漏源电压和2A的连续漏极电流能力，为您的高压开关应用注入澎湃动力与坚实保障。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品性能、优化系统设计的得力伙伴，让每一次能量转换都更加高效、稳定。

想象一下，在您精心设计的开关电源、电机驱动、照明镇流器或是各类AC-DC转换器中，AOD2N60A正扮演着能量交通枢纽的核心角色。它卓越的600V耐压特性，轻松应对电网波动与感性负载带来的电压尖峰，为系统构筑起第一道安全防线。其仅4.7欧姆的低导通电阻（在1A，10V条件下），意味着更低的导通损耗，直接转化为更少的发热和更高的整体效率，让您的设备在长时间运行中依然保持冷静与高效。无论是家用电器中的辅助电源，还是工业设备中的控制模块，它都能游刃有余，确保能量精准、流畅地传递。

选择AOD2N60A，就是选择了一份值得信赖的承诺。AOS先进的MOSFET技术确保了器件的一致性与长寿命，其宽广的工作温度范围（-50°C至150°C）让它能适应从严寒到酷热的苛刻环境。TO-252（D-Pak）的表面贴装封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，更便于自动化生产，大幅提升您的制造效率。当您需要可靠的技术支持与稳定的供货渠道时，遍布全球的AOS代理网络随时准备为您服务，从选型指导到供应链保障，全程助力您的项目成功。让AOD2N60A成为您下一个爆款产品的“心脏”，与我们一同开启高效、可靠的电能管理新篇章！

• 型号:AOD2N60A
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 2A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.7 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:295 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:57W（Tc）
• 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• AOD2N60A的官网价格：1:$1.21000|2500:$0.30934，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。