




AOD3C60
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-252(DPAK)
- 技术参数:MOSFET N-CH 600V 3A TO252
- (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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AOD3C60参数详情:
在追求高效与可靠性的电子设计前沿,一颗性能卓越的功率开关器件往往是决定产品成败的关键。今天,我们为您隆重介绍AOD3C60来自AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)的N沟道功率MOSFET,它不仅仅是一个组件,更是您提升系统能效、简化设计流程的强大引擎。凭借其高达600V的漏源电压和3A的连续漏极电流承载能力,这颗芯片为您的设计提供了坚固的电气屏障和充沛的动力支持,让您在应对严苛的电压波动和功率需求时,始终充满信心。
想象一下,在那些需要稳定高效功率转换与管理的场景中,AOD3C60都能大显身手。无论是开关电源(SMPS)中的主开关或辅助电源,还是电机驱动控制、照明镇流器,甚至是工业自动化设备中的功率模块,它都能凭借其优异的开关特性和低导通电阻(典型值1.4欧姆 @ 1A, 10V),显著降低导通损耗,提升整体系统效率。其TO-252(D-Pak)的表面贴装封装,不仅节省了宝贵的PCB空间,更便于自动化生产,让您的制造过程更加流畅高效。面对从-50°C到150°C的宽广工作温度范围,它依然能稳定工作,确保您的产品在各种环境下都表现出色。
为什么众多工程师在面临选型时会青睐AOD3C60?答案在于它精准平衡了性能、可靠性与成本。它采用成熟的MOSFET技术,在提供强大功率处理能力(最大耗散功率89W)的同时,通过优化的栅极电荷(Qg最大值15nC)和输入电容,实现了快速的开关速度,减少了开关损耗,这对于提升高频应用的效率至关重要。其高达±30V的栅源电压容限,也为驱动电路的设计提供了更大的灵活性和安全性。虽然该型号目前已处于停产状态,但其卓越的设计和广泛的市场验证,使其成为特定库存应用或现有产品维护的可靠选择。若您正在寻找性能与价值兼备的解决方案,不妨联系我们的AOS代理商,获取专业的选型支持与库存信息,让这颗经典芯片继续为您的创意注入活力。
- 型号:AOD3C60
- 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
- 封装:TO-252(DPAK)
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 3A TO252
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.4 欧姆 @ 1A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):15 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):648 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):89W(Tc)
- 工作温度:-50°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-252(DPAK)
- 封装/外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
- AOD3C60的官网价格:2500:$0.36402,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。



























