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AOD3N40

  • 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-252(DPAK)
  • 技术参数:MOSFET N CH 400V 2.6A TO252
  • (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

AOD3N40参数详情:

在追求更高能效与可靠性的电子设计领域,一颗性能卓越的功率开关器件往往是决定产品成败的关键。今天,我们为您隆重介绍来自AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)的明星产品AOD3N40。这款N沟道400V MOSFET,以其出色的电气特性和坚固的物理封装,正成为工程师们在设计高压开关电源、电机驱动和高效照明系统时的信心之选。它不仅是一颗元器件,更是您提升产品竞争力、降低系统总成本的强大引擎。

想象一下,在您的AC-DC电源适配器、LED驱动电源或家用电器辅助电源中,需要一颗能够稳定处理高压、同时保持快速开关和低损耗的开关管。AOD3N40正是为此而生。其400V的漏源电压(Vdss)和2.6A的连续漏极电流能力,为各种离线式开关电源拓扑提供了坚实的保障。无论是反激式、正激式还是PFC(功率因数校正)电路,它都能游刃有余,确保能量高效、稳定地转换。其TO-252(D-Pak)表面贴装封装,不仅节省宝贵的PCB空间,更凭借出色的热性能(最大功率耗散50W),让您的设计在紧凑的同时也能应对严苛的散热挑战,工作温度范围宽达-50°C至150°C。

选择AOD3N40,就是选择了一份从容与高效。它的优势不仅体现在参数表上,更融入在每一次开关动作中。仅需10V的驱动电压,即可获得优异的导通性能(典型RdsOn低至3.1欧姆@1A),这意味着更低的驱动损耗和更简单的栅极驱动设计。极低的栅极电荷(Qg最大值5.1nC)和输入电容(Ciss最大值225pF),确保了超快的开关速度,显著降低了开关损耗,让您的系统效率轻松攀上新高峰。这些特性共同作用,直接转化为更低的温升、更高的可靠性以及更长的产品寿命。当您致力于打造更节能、更小巧、更可靠的下一代电子产品时,AOD3N40无疑是您值得信赖的伙伴。如需获取样品、技术资料或采购支持,欢迎联系我们的AOS中国代理,我们将为您提供专业、及时的服务。

  • 型号:AOD3N40
  • 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
  • 封装:TO-252(DPAK)
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N CH 400V 2.6A TO252
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):400 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.6A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):3.1 欧姆 @ 1A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):5.1 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):225 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):50W(Tc)
  • 工作温度:-50°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:TO-252(DPAK)
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
  • AOD3N40的官网价格:2500:$0.30338,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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