AOD478

在追求极致能效与可靠性的电子设计领域，一颗强大的核心开关器件往往是决定产品成败的关键。今天，我们向您隆重介绍来自AOS的卓越解决方案AOD478。这款N沟道MOSFET以其100V的耐压能力和高达11A（Tc）的连续漏极电流，为您带来前所未有的功率处理自由。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品性能、降低系统复杂度的得力助手，让高效与稳定触手可及。

想象一下，无论是需要精密控制的开关电源、电机驱动，还是对空间和散热要求严苛的便携式设备、LED照明系统，AOD478都能完美融入。其卓越的导通电阻（低至140毫欧）意味着更低的传导损耗，直接转化为更长的电池续航和更凉爽的运行温度。宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）确保它在各种严苛环境下依然稳定如山，从工业自动化到消费电子，它都是值得信赖的基石。当您需要可靠的功率开关解决方案时，选择与专业的AOS代理商合作，能确保您获得正品支持与及时的技术服务。

为何众多工程师将AOD478作为首选？答案在于它无与伦比的综合价值。TO-252（D-Pak）封装兼顾了优异的散热性能与PCB空间利用率，让您的设计更加紧凑。极低的栅极电荷（仅13nC）和输入电容，显著降低了开关损耗，提升了整体系统频率和效率，让您的产品在竞争中快人一步。从原型设计到量产，AOD478提供的不仅是一流的参数，更是一份关于性能、可靠性与价值的坚定承诺。选择它，就是选择为您的创新注入强劲而持久的动力。

• 型号:AOD478
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 2.5A/11A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Ta），11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:140 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:540 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• AOD478的官网价格：2500:$0.30492，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。