AOD4S60

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界里，一颗强大的核心开关器件往往是决定成败的关键。今天，我们向您隆重介绍AOD4S60一款源自AOS aMOS技术家族的N沟道功率MOSFET，它不仅仅是一个组件，更是您提升产品性能、简化设计流程的得力伙伴。凭借其600V的高耐压能力和4A的连续电流承载实力，它为您打开了通往更高功率密度和更稳定运行的大门，让每一次开关都精准而高效。

想象一下，在您熟悉的开关电源（SMPS）、电机驱动控制或是功率因数校正（PFC）电路中，AOD4S60能够游刃有余地扮演核心开关角色。其出色的电气特性，例如在10V驱动电压下仅900毫欧的低导通电阻，直接转化为更低的传导损耗和更少的热量产生。这意味着您的设备可以在更凉爽、更稳定的状态下长时间运行，有效延长了整体系统的寿命。无论是工业自动化设备中的电机驱动，还是消费类电子产品的适配器，这颗芯片都能提供坚实的性能保障，让您的终端产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。

选择AOD4S60，就是选择了一份经过验证的可靠性与卓越的价值组合。其TO-252（D-Pak）封装不仅成熟可靠、便于自动化贴装生产，更能实现出色的散热性能，确保高达56.8W的功率耗散能力得到充分发挥。宽广的-55°C至150°C工作结温范围，让它无惧严苛的环境挑战。当您需要为现有成熟设计寻找稳定可靠的供应来源时，这颗芯片无疑是理想之选。我们建议您通过官方授权的AOS代理商进行采购，以确保获得原装正品和全面的技术支持，为您的项目成功保驾护航。让AOD4S60成为您下一个成功产品的坚实基石，共同开启高效、可靠的电力转换新篇章。

• 型号:AOD4S60
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 4A TO252
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:900 毫欧 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:263 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:56.8W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• AOD4S60的官网价格：1:$2.20000|2500:$0.62504，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。