AOD7S60

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界里，一颗强大的“心脏”往往决定了整个系统的成败。今天，我们为您带来一款在高压开关应用中表现卓越的明星产品AOD7S60。它不仅仅是一个N沟道MOSFET，更是AOS aMOS系列技术的结晶，旨在为您的设计注入澎湃动力与非凡稳定性。凭借高达600V的漏源电压和7A的连续漏极电流能力，它为您的高压侧开关、电机驱动或电源转换应用提供了坚实可靠的基础，让您在应对严苛工况时充满信心。

想象一下，在您的工业电机驱动器中，需要快速、精准地控制功率流向；或者在您的开关电源（SMPS）中，实现高效的能量转换与功率因数校正。AOD7S60正是为此类场景而生。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，意味着更快的开关速度和更低的开关损耗，这直接转化为系统整体效率的提升和温升的降低。无论是面对频繁启停的工业设备，还是要求长时间稳定运行的服务器电源，它都能游刃有余，确保您的终端产品在性能与可靠性上脱颖而出。

选择AOD7S60，就是选择了一份经过验证的卓越与安心。它采用坚固的TO-252（D-Pak）封装，具备优异的散热性能和83W的强大功率耗散能力，工作温度范围宽达-55°C至150°C，从容应对各种环境挑战。虽然该型号已不适用于全新设计，但其成熟的技术、出色的参数（如低至600毫欧的导通电阻）以及AOS一贯的高品质，使其成为许多现有方案升级或高可靠性应用的绝佳选择。当您需要可靠的功率开关解决方案时，与值得信赖的AOS代理商合作，获取这颗久经考验的芯片，无疑是加速项目成功、提升产品竞争力的明智之举。

• 型号:AOD7S60
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO252
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.9V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:372 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:83W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• AOD7S60的官网价格：1:$2.75000|2500:$0.81615，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。