AOI2N60

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界里，一颗强大的核心开关器件往往是决定成败的关键。今天，我们为您隆重介绍AOI2N60来自AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）的卓越N沟道功率MOSFET，它不仅仅是一个元件，更是您提升产品性能、优化系统设计的得力伙伴。凭借其高达600V的漏源电压和2A的连续漏极电流能力，这颗芯片天生就是为高效能量转换而设计的强者，能够在严苛的工作环境中稳定运行，为您带来前所未有的信心保障。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动、照明镇流器或适配器设计中，AOI2N60将如何大显身手。它优异的电气特性，如低至4.4欧姆的导通电阻和仅11nC的栅极电荷，意味着更低的导通损耗和更快的开关速度，直接转化为更高的系统效率和更低的发热量。无论是家用电器、工业控制还是消费类电子产品，它都能轻松融入，成为提升整机竞争力的秘密武器。选择它，就是选择了一种更高效、更可靠的解决方案，让您的产品在市场中脱颖而出。

为什么众多工程师和采购专家都信赖并选择AOI2N60？答案在于其卓越的价值总和。它采用坚固的TO-251A通孔封装，散热性能优异，功率耗散能力高达56.8W，配合-50°C至150°C的宽广工作结温范围，确保了在极端环境下的长期稳定性和耐用性。同时，其优化的驱动特性（Vgs(th)最大4.5V）使其易于驱动，简化了您的电路设计。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，请记住，AOS中国代理始终是您坚实的后盾，为您提供从选型到应用的全方位服务。选择AOI2N60，就是选择与领先科技同行，共同开启高效能源的新篇章。

• 型号:AOI2N60
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-251A
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 2A TO251A
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.4 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:325 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:56.8W（Tc）
• 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251A
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK
• AOI2N60的官网价格：3500:$0.34496，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。