AOI4T60

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，一颗强大的核心开关器件往往是决定系统成败的关键。今天，我们为您隆重介绍一款在高压开关应用中表现卓越的明星产品AOI4T60。它不仅仅是一个MOSFET，更是您提升产品性能、优化系统设计的得力伙伴。凭借其高达600V的漏源电压耐受能力和4A的连续电流承载能力，这颗芯片天生就是为应对严苛的工业环境而生，让您的设计在高压前沿游刃有余，释放前所未有的能量与效率。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动、照明镇流器或是各类功率转换模块中，AOI4T60正扮演着高效能量闸门的角色。它那仅2.1欧姆的低导通电阻，意味着在导通状态下能量损耗被大幅降低，热量产生更少，系统运行更凉爽、更持久。无论是驱动一台精密的工业设备，还是为复杂的电力系统提供稳定的开关控制，它都能以出色的开关速度和稳定的栅极特性（栅极电荷仅15nC），确保快速响应与精准控制，让您的终端产品在激烈的市场竞争中，凭借卓越的稳定性和能效脱颖而出。

选择AOI4T60，就是选择了一份来自AOS（Alpha & Omega Semiconductor）的卓越品质与深厚技术积淀。其TO-251A的经典封装，兼顾了优异的散热性能与便捷的安装工艺，宽达-50°C至150°C的工作结温范围，让它无惧严寒酷暑，在各种极端环境下依然坚若磐石。当您需要为关键项目寻找值得信赖的功率解决方案时，这颗芯片所提供的强大功率处理能力（最大83W耗散）和坚固耐用的特性，无疑是您最明智的决策之一。为确保您能获得正品保障与及时的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的AOS一级代理进行采购，从而为您的产品从设计到量产的全流程保驾护航。

• 型号:AOI4T60
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-251A
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 4A TO251A
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.1 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:460 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:83W（Tc）
• 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251A
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK
• AOI4T60的官网价格：None，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。