AOK9N90

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界里，一颗强大的核心往往能决定整个系统的成败。今天，我们为您隆重介绍AOK9N90来自AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）的900V N沟道功率MOSFET。它不仅仅是一个电子元件，更是您应对高压、高功率挑战的得力伙伴，以其卓越的性能和坚固的耐用性，为您的设计注入澎湃动力与安心保障。

想象一下，在那些对稳定性和效率要求严苛的应用场景中，无论是工业级开关电源、不间断电源（UPS）、电机驱动，还是新能源领域的太阳能逆变器，AOK9N90都能游刃有余地担当重任。它高达900V的漏源电压（Vdss）和9A的连续漏极电流，意味着它能轻松应对电网波动和复杂的负载环境，确保您的设备在高压下依然稳定运行，输出纯净而强劲的电力。其TO-247的经典封装，不仅提供了出色的散热能力，更代表着工业级的可靠性与易于集成的便利性，让您的产品从设计到量产都更加顺畅。

那么，在众多选择中，为何要坚定地选择AOK9N90？答案在于它精妙的平衡艺术。它拥有极低的导通电阻（Rds(on)），在10V驱动电压下仅1.3欧姆，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率，意味着更少的能源浪费和更长的设备运行时间。同时，其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，使得开关过程快速而干净，显著降低了开关损耗和电磁干扰（EMI），让您的系统不仅高效，而且“安静”可靠。从-55°C到150°C的宽广工作温度范围，确保了它能在各种严酷环境下稳定工作，是您打造高可靠性产品的基石。要获得这颗性能卓越的芯片，请务必通过官方AOS授权代理进行采购，确保您获得的是原装正品和完整的技术支持，为您的项目成功保驾护航。

• 型号:AOK9N90
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 9A TO247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.3 欧姆 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:58 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2560 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:368W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247
• 封装/外壳:TO-247-3
• AOK9N90的官网价格：240:$2.90750，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。