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AOL1454

  • 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:UltraSO-8
  • 技术参数:MOSFET N-CH 40V 12A/50A ULTRASO8
  • (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

AOL1454参数详情:

在追求极致效率与可靠性的电子设计领域,每一次选择都至关重要。今天,我们为您带来一款能够重新定义功率转换与负载开关性能的卓越解决方案AOL1454。这款由AOS精心打造的N沟道MOSFET,凭借其超凡的电气特性和坚固的物理设计,正迅速成为工程师心中应对严苛应用挑战的得力助手。它不仅是一颗元器件,更是您提升产品竞争力、确保系统稳定运行的强大引擎。

想象一下,在您的下一款高密度电源模块中,需要一颗能够在紧凑空间内处理大电流、同时保持低温运行的开关器件;或者在您的电机驱动电路里,亟需一个响应迅速、导通损耗极低的理想开关。AOL1454正是为此而生。其40V的漏源电压和高达50A(Tc)的连续漏极电流能力,让它轻松驾驭DC-DC转换器、电机控制、电池保护以及各类负载开关应用。无论是消费电子、工业自动化还是汽车辅助系统,它都能无缝融入,以卓越的能效和可靠性,确保您的终端设备动力澎湃、运行如丝般顺滑。

为何众多领先的设计师纷纷将目光投向AOL1454?答案在于它无与伦比的综合价值。首先,其超低的导通电阻(仅9毫欧@20A,10V)意味着更少的导通损耗,直接转化为更高的系统效率和更长的电池续航,让您的产品在能效比拼中脱颖而出。其次,优化的栅极电荷(仅22nC @10V)和快速的开关特性,显著降低了开关损耗,提升了整体频率响应,让电源设计更加灵活高效。再者,其采用先进的UltraSO-8封装,在提供强大散热能力(Tc下功率耗散高达60W)的同时,保持了极小的占板面积,完美契合当今电子产品小型化、集成化的趋势。宽广的工作温度范围(-55°C至175°C结温)更是赋予了它无惧严寒酷暑的坚韧品质。选择AOL1454,就是选择了一份对性能的承诺和对未来的保障。如果您正在寻找可靠的供应伙伴,遍布全球的授权AOS代理网络将为您提供从样品到量产的全方位支持。

总而言之,AOL1454不仅仅是一个参数表上的优秀选项,它更是您实现设计突破、打造市场爆款产品的关键拼图。它将AOS领先的半导体技术与对市场需求的深刻洞察融为一体,以实实在在的性能提升,为您创造不可估量的价值。立即体验AOL1454带来的变革性力量,让您的下一个设计项目,从一开始就站在更高的起点上。

  • 型号:AOL1454
  • 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
  • 封装:UltraSO-8
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 40V 12A/50A ULTRASO8
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A(Ta),50A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):9 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):22 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1920 pF @ 20 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):2.1W(Ta),60W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:UltraSO-8
  • 封装/外壳:3-PowerSMD,引线
  • AOL1454的官网价格:None,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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