




AON2401
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:6-DFN(2x2)
- 技术参数:MOSFET P-CH 8V 8A 6DFN
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AON2401参数详情:
在追求极致效率与可靠性的电子设计领域,一颗卓越的功率开关器件往往是决定产品成败的关键。今天,我们为您隆重介绍AON2401,这颗来自AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)的P沟道MOSFET,以其精悍的性能,正成为众多紧凑型、高密度应用的理想心脏。它不仅仅是一个组件,更是您提升系统能效、简化设计流程、加速产品上市的得力伙伴。
想象一下,在您的手持设备、便携式电子产品或高密度服务器主板中,空间是何等珍贵。AON2401采用微小的6-DFN-EP(2x2)封装,却能稳健承载高达8A的连续电流,其低至22毫欧的导通电阻(在8A,2.5V条件下)意味着更少的能量以热量的形式被浪费,直接转化为更长的电池续航和更低的系统温升。无论是用于负载开关、电源路径管理,还是电机驱动中的极性控制,它都能以极高的效率执行开关任务,让您的产品在激烈的市场竞争中,凭借出色的能效表现脱颖而出。
为何众多工程师在面临选型时,会毫不犹豫地选择AON2401?答案在于其卓越的综合价值。它拥有宽广的工作温度范围(-55°C至150°C结温),确保您的产品能在各种严苛环境下稳定运行。极低的栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss)特性,意味着它能够被快速驱动,开关损耗更低,特别适合高频开关应用,让您的电源设计响应更迅捷,整体动态性能更优。当您需要为项目寻找一个可靠、高效且节省空间的功率开关解决方案时,AON2401提供了一个经过市场验证的出色答案。如需获取详细的技术支持与供应保障,我们的AOS中国代理团队随时准备为您服务。
选择AON2401,就是选择了一份对性能的执着追求和对设计自由的赋能。它让您能够将更多精力专注于系统创新,而非在基础器件的性能妥协上耗费心神。这颗小巧而强大的MOSFET,正等待着在您的下一个杰作中,释放全部潜能,共同定义高效与可靠的新标准。
- 型号:AON2401
- 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
- 封装:6-DFN(2x2)
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 8V 8A 6DFN
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):8 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.2V,2.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):22 毫欧 @ 8A,2.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):650mV @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):18 nC @ 4.5 V
- Vgs(最大值):±5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1465 pF @ 4 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):2.8W(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:6-DFN(2x2)
- 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
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