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AON2406

  • 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:6-DFN(2x2)
  • 技术参数:MOSFET N-CH 20V 8A 6DFN
  • (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

AON2406参数详情:

在追求极致效率与可靠性的电子设计领域,一颗卓越的功率开关器件往往是决定产品成败的关键。今天,我们为您隆重介绍一款能够重新定义您电源管理方案性能标杆的明星产品AON2406。这款由AOS精心打造的N沟道MOSFET,以其卓越的电气性能和紧凑的封装,正成为工程师们应对严苛应用挑战的得力助手。它不仅是一颗元器件,更是您提升产品竞争力、实现设计突破的强大引擎。

想象一下,在您的便携式设备、负载开关或DC-DC转换器中,需要一颗既能承受高电流,又能保持极低导通损耗的开关。这正是AON2406大显身手的舞台。其高达8A的连续漏极电流和仅为12.5毫欧的超低导通电阻,意味着在能量传递路径上的损耗被降至最低,更多的电能被高效地输送到负载端,直接转化为更长的续航时间、更低的发热量以及更稳定的系统运行。无论是智能手机的快充电路、平板电脑的电源管理,还是各类智能穿戴设备的精密供电,它都能游刃有余,确保每一分能量都被精准、高效地利用。

选择AON2406,就是选择了一份值得信赖的性能保障。其宽泛的驱动电压范围(1.5V至4.5V)使其能与多种逻辑电平完美兼容,简化您的驱动电路设计。极低的栅极电荷(仅18nC)和输入电容,确保了超快的开关速度,显著降低开关损耗,特别适合高频开关应用,让您的系统响应更加敏捷。同时,它采用先进的6-DFN-EP(2x2)表面贴装封装,在提供出色散热性能(功率耗散达2.8W)的同时,极大节省了宝贵的PCB空间,助力您实现产品的小型化与高密度集成。从-55°C到150°C的广阔工作结温范围,更是赋予了它无与伦比的环境适应性和可靠性,从容应对各种极端工况。

我们深知,卓越的产品需要同样卓越的服务支持。为了确保您能顺利、快捷地将这颗高性能芯片集成到您的创新设计中,我们推荐您通过官方授权的AOS代理商进行采购与咨询。他们将为您提供专业的技术支持、稳定的货源保障以及全面的供应链服务,让您的产品从设计到量产一路畅通。立即行动,让AON2406为您的下一个项目注入强劲动力与无限可能!

  • 型号:AON2406
  • 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
  • 封装:6-DFN(2x2)
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 20V 8A 6DFN
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):12.5 毫欧 @ 8A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):18 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值):±8V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1140 pF @ 10 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):2.8W(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:6-DFN(2x2)
  • 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
  • AON2406的官网价格:1:$1.02000|3000:$0.24835,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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