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AON4807

  • 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列,封装:8-DFN(3x2)
  • 技术参数:MOSFET 2P-CH 30V 4A 8DFN
  • (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

AON4807参数详情:

在追求极致效率与可靠性的电子设计领域,一颗优秀的功率器件往往是决定产品成败的关键。今天,我们隆重向您介绍一款在紧凑封装内凝聚卓越性能的解决方案AON4807。这款由AOS精心打造的双P沟道MOSFET,以其出色的逻辑电平驱动能力、高达30V的耐压和4A的连续电流承载能力,为您的高效电源管理和负载开关应用注入强大动力。它不仅仅是一个组件,更是您提升产品竞争力、实现设计精简化的得力助手。

想象一下,在您的手持设备、便携式消费电子或紧凑型工业模块中,空间是多么宝贵。AON4807正是为此而生。它采用先进的8-DFN封装,在极小的占板面积下,集成了两个独立的P沟道MOSFET,让您在实现双路开关或互补驱动时,无需再为布局布线而烦恼。其逻辑电平门控特性,意味着它可以直接由微控制器或低电压逻辑电路轻松驱动,极大地简化了您的驱动电路设计,让系统集成变得前所未有的轻松。无论是用于电池保护、电源路径切换,还是电机控制中的预驱动,它都能以高达1.9W的功率处理能力和宽达-55°C至150°C的结温工作范围,确保在各种严苛环境下稳定运行,为您的产品可靠性保驾护航。

为什么众多工程师在面临空间和性能的双重挑战时,会倾向于选择AON4807?答案在于它无可比拟的价值组合。极低的导通电阻(典型值低至68毫欧)意味着更小的导通损耗和更高的整体效率,直接转化为更长的电池续航或更低的系统发热。同时,优化的栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss)参数,确保了快速的开关速度和极低的驱动损耗,让您的系统响应更迅捷,动态性能更出色。选择AON4807,就是选择了一种经过市场验证的、高性价比的解决方案。如果您正在寻找稳定可靠的供货渠道与专业的技术支持,我们推荐您联系官方授权的AOS代理商,他们将为您提供从选型到量产的全方位服务,助您的新项目快速落地,抢占市场先机。

  • 型号:AON4807
  • 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
  • 封装:8-DFN(3x2)
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 2P-CH 30V 4A 8DFN
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 配置:2 个 P 沟道(双)
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源电压(Vdss):30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):68 毫欧 @ 4A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):10nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):290pF @ 15V
  • 功率 - 最大值:1.9W
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SMD,扁平引线
  • 供应商器件封装:8-DFN(3x2)
  • AON4807的官网价格:,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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