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AON5820

  • 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列,封装:6-DFN-EP(2x5)
  • 技术参数:MOSFET 2N-CH 20V 10A 6DFN
  • (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

AON5820参数详情:

在追求极致效率的电子设计领域,每一次性能的微小提升都可能带来产品竞争力的巨大飞跃。今天,我们为您隆重介绍一款能够重新定义紧凑型电源与负载开关设计标准的明星产品AON5820。这颗来自AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)的双N沟道MOSFET,以其卓越的电气性能和精巧的封装,正成为工程师们应对空间与能效双重挑战的得力助手。它不仅是一颗元器件,更是您释放产品潜能、打造市场爆款的关键钥匙。

想象一下,在您的手持设备、便携式消费电子产品、或是高密度的服务器主板和显卡上,空间是何等宝贵。AON5820正是为此而生。它采用先进的6-DFN封装,体积小巧却蕴含着强大动力。其双通道共漏极设计,让您在实现同步整流、电机驱动、负载开关或电源路径管理时,布局更加灵活,布线更加简洁。无论是为智能手机的电池保护电路提供高效切换,还是在无人机电调中实现精准的PWM控制,它都能游刃有余,确保系统运行稳定可靠。在-55°C至150°C的宽广结温范围内,它始终如一地工作,让您的产品能够从容应对各种严苛环境,从炎热的夏日到寒冷的冬季,性能不打折扣。

为什么越来越多的设计团队将AON5820作为首选?答案在于它无与伦比的“价值密度”。高达10A的连续漏极电流承载能力,配合低至9.5毫欧的导通电阻(在4.5V驱动下),意味着更低的传导损耗和更少的发热。这不仅直接提升了系统的整体能效,延长了电池续航,还简化了热管理设计,降低了散热成本。同时,其逻辑电平门驱动特性(Vgs(th)最大仅1V)使其能够轻松被现代低压微控制器直接驱动,无需额外的电平转换电路,进一步节省了宝贵的PCB空间和BOM成本。选择AON5820,就是选择了一种更高效、更紧凑、更可靠的设计哲学。如果您正在寻找稳定可靠的供货和技术支持,我们的合作伙伴AOS中国代理,将为您提供从样品到量产的全方位服务,确保您的创新之旅畅通无阻。

  • 型号:AON5820
  • 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
  • 封装:6-DFN-EP(2x5)
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 2N-CH 20V 10A 6DFN
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 配置:2 N 沟道(双)共漏
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源电压(Vdss):20V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):9.5 毫欧 @ 10A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):15nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1510pF @ 10V
  • 功率 - 最大值:1.7W
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:6-WFDFN 焊盘
  • 供应商器件封装:6-DFN-EP(2x5)
  • AON5820的官网价格:5000:$0.31436,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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