




AON6270
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:8-DFN(5x6)
- 技术参数:MOSFET N-CH 75V 31.5A/85A 8DFN
- (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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AON6270参数详情:
在追求极致能效与可靠性的功率电子设计领域,一颗强大的“心脏”往往决定了整个系统的成败。今天,我们向您隆重介绍AON6270一款由AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)精心打造的N沟道功率MOSFET。它不仅仅是一个电子元件,更是您提升产品性能、降低系统损耗、实现设计突破的关键伙伴。凭借其卓越的电气特性和坚固的物理结构,AON6270正蓄势待发,准备为您的下一个项目注入澎湃动力与非凡效率。
想象一下,在您的服务器电源、高密度DC-DC转换器或电机驱动应用中,电流的每一次通断都伴随着能量的损耗与热量的堆积。这正是AON6270大显身手的舞台。其高达75V的漏源电压和惊人的85A(Tc)连续漏极电流承载能力,让它能够轻松应对严苛的功率开关任务。无论是处理数据中心服务器中瞬间涌动的电流,还是驱动工业设备中稳定运转的马达,AON6270都能以极低的导通电阻(典型值仅3.9毫欧@10V)确保能量高效传输,将宝贵的电能更多地用于做功,而非转化为无谓的热量。这意味着您的终端设备将运行得更凉爽、更安静,寿命也更长久。
那么,在众多功率器件中,为何AON6270能成为您的明智之选?答案在于它精妙的平衡艺术。它不仅在电流与电压规格上表现出色,更在动态特性上精益求精。极低的栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss),意味着它在高速开关时所需的驱动能量更少,开关速度更快,从而显著降低开关损耗,提升系统整体频率和响应速度。其宽广的工作温度范围(-55°C至150°C)和强大的功率耗散能力(Tc条件下高达83W),赋予了它无与伦比的环境适应性与可靠性,确保您的产品即使在最恶劣的条件下也能稳定运行。选择AON6270,就是选择了一份经得起时间考验的性能保障。如需获取官方技术支持和供货保障,请务必通过正规的AOS中国代理进行采购。
尽管该型号目前已处于停产状态,但其卓越的设计和久经考验的性能,使其在特定存量项目、经典设计延续或对可靠性有极致要求的场合中,依然闪烁着不可替代的价值光芒。它代表了一个时代的技术标杆,其设计理念和性能参数至今仍为许多工程师所称赞和借鉴。当您在设计或维护一个对效率、功率密度和鲁棒性有严苛要求的系统时,AON6270所蕴含的工程智慧,依然能为您提供至关重要的启发与支持。
- 型号:AON6270
- 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
- 封装:8-DFN(5x6)
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 75V 31.5A/85A 8DFN
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):75 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):31.5A(Ta),85A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):3.9 毫欧 @ 20A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.2V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):85 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):4100 pF @ 37.5 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):7.3W(Ta),83W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-DFN(5x6)
- 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线
- AON6270的官网价格:,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。



























