




AON6280
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:8-DFN(5x6)
- 技术参数:MOSFET N-CH 80V 17A/85A 8DFN
- (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
AON6280参数详情:
在追求极致效率与可靠性的电力电子世界,一颗强大的“心脏”往往能决定整个系统的成败。今天,我们为您隆重介绍这样一颗集高性能与高可靠性于一身的功率器件AON6280。它不仅仅是一个N沟道MOSFET,更是您提升产品竞争力、实现设计突破的得力伙伴。凭借其卓越的电气性能与坚固的物理特性,AON6280正重新定义中高功率密度应用的性能标准,让您的设计在激烈的市场竞争中脱颖而出。
想象一下,在您的电机驱动系统中,需要瞬间提供强劲而稳定的电流;在您的服务器电源或通信设备里,高效的能量转换关乎着系统的稳定与能耗;或者在各类工业自动化设备中,频繁的开关动作要求器件拥有超长的寿命与极低的损耗。这正是AON6280大展身手的舞台。其高达80V的漏源电压和惊人的85A(Tc)连续漏极电流能力,意味着它能轻松应对严苛的负载冲击与电压波动,为您的电机控制、DC-DC转换、负载开关等核心电路提供坚如磐石的保障。无论是追求极致效率的同步整流,还是需要快速响应的PWM控制,AON6280都能以出色的表现,成为您系统中最值得信赖的一环。
那么,在众多同类产品中,为何AON6280是您的不二之选?答案藏在细节之中。其导通电阻(Rds(on))在10V驱动下低至仅4.1毫欧,这意味着更低的导通损耗和更少的热量产生,直接提升了系统的整体效率并简化了散热设计。同时,优化的栅极电荷(Qg)特性确保了快速且干净的开关动作,既能减少开关损耗,又能有效抑制电磁干扰(EMI),让您的产品更容易通过各项认证。此外,其采用紧凑的8-DFN(5x6)封装,在节省宝贵PCB空间的同时,通过卓越的导热设计实现了高达83W(Tc)的功率耗散能力。这颗芯片的卓越性能,正是源自AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)深厚的功率半导体技术积淀。若您正在寻找稳定可靠的供货渠道与技术支援,我们的合作伙伴AOS总代理将为您提供全方位的服务。选择AON6280,就是选择了一份高性能的保障、一个高效的设计方案,以及一个迈向更成功产品的坚实台阶。
- 型号:AON6280
- 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
- 封装:8-DFN(5x6)
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 80V 17A/85A 8DFN
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):80 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A(Ta),85A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):4.1 毫欧 @ 20A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.2V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):82 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):3930 pF @ 40 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):7.3W(Ta),83W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-DFN(5x6)
- 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线
- AON6280的官网价格:1:$3.73000|3000:$1.15159,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。



























