




AON6405_102
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:8-DFN-EP(5x6)
- 技术参数:MOSFET P-CH 30V 28A/30A 8DFN
- (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
AON6405_102参数详情:
在追求极致能效与可靠性的电子设计领域,一颗优秀的功率器件往往是决定产品成败的关键。今天,我们为您隆重介绍AON6405_102来自AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)的一款高性能P沟道MOSFET。它不仅仅是一个组件,更是您提升系统性能、优化空间布局、实现高效电源管理的得力伙伴。想象一下,当您的设备在严苛环境下依然稳定运行,当您的产品因更低的功耗和发热而获得更长续航与更高可靠性,这一切的背后,正是像AON6405_102这样经过精心设计的核心元件在默默支撑。
这款MOSFET的应用场景极为广泛,几乎涵盖了所有需要高效功率开关与控制的领域。无论是为笔记本电脑、平板电脑的电源管理系统提供精准的负载开关,还是在服务器、通信设备的DC-DC转换器中实现高效的同步整流,它都能游刃有余。在便携式设备、电池保护板、电机驱动乃至LED照明驱动中,其卓越的性能都能让您的设计如虎添翼。面对复杂的电路布局和有限的空间,其紧凑的8-DFN-EP封装让高密度集成成为可能,帮助您打造出更小巧、更强大的终端产品。
选择AON6405_102的理由清晰而有力。首先,其30V的漏源电压和高达30A(Tc)的连续漏极电流,确保了强大的功率处理能力,轻松应对各种高负载挑战。超低的5.2毫欧导通电阻(在10V Vgs下)意味着更少的导通损耗和发热,直接提升了系统的整体能效和热表现。快速的开关特性(低栅极电荷)则让它在高频应用中表现出色,响应迅捷。从极寒的-55°C到酷热的150°C结温,其宽广的工作温度范围赋予了产品无与伦比的环境适应性和可靠性。我们深知,获得正品与可靠的技术支持至关重要,因此我们推荐您通过官方授权的AOS一级代理进行采购,以确保产品源头纯正并获得专业的选型支持。尽管该型号目前已处于停产状态,但其成熟的设计、经过市场验证的卓越性能,以及在特定库存和后续替代方案中的价值,依然使其在诸多现有项目和备件供应中占据重要地位。选择AON6405_102,就是选择了一份经过时间淬炼的可靠与高效。
- 制造商产品型号:AON6405_102
- 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
- 描述:MOSFET P-CH 30V 28A/30A 8DFN
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 产品系列:-
- 零件状态:停产
- FET类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):30V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):28A(Ta),30A(Tc)
- 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):5.2 毫欧 @ 20A,10V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):130nC @ 10V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):5020pF @ 15V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):6.2W(Ta),104W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 器件封装:8-DFN-EP(5x6)
- AON6405_102的官网价格:停产,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。



























