




AON6410
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:8-DFN(5x6)
- 技术参数:MOSFET N-CH 30V 10A/24A 8DFN
- (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
AON6410参数详情:
在追求极致效率与可靠性的电子设计领域,一颗卓越的功率开关器件往往是决定产品成败的关键。今天,我们向您隆重介绍一款在中小功率应用中表现非凡的明星产品AON6410。这款由AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)精心打造的N沟道MOSFET,以其卓越的性能参数和坚固耐用的品质,正成为工程师们实现高效能、高密度设计的秘密武器。它不仅仅是一个电子元件,更是您提升产品竞争力、优化系统性能的可靠伙伴。
想象一下,在您的便携式设备、电源管理模块或电机驱动电路中,需要一颗能够高效、精准控制电流通断的“开关”。AON6410正是为此而生。其30V的漏源电压和高达10A(环境温度)/24A(壳温)的连续漏极电流能力,使其能够轻松应对各种DC-DC转换、负载开关和电池保护等应用场景。无论是让您的移动电源充电更快更安全,还是让无人机电机响应更迅捷有力,这颗芯片都能提供稳定而强劲的动力支持。其紧凑的8-DFN(5x6)表面贴装封装,尤为适合空间受限的现代电子产品设计,帮助您在方寸之间布局更强大的功能。
为什么众多领先的设计师会选择AON6410?答案在于它无与伦比的“内功”。在10V驱动电压下,其导通电阻(RdsOn)最大值低至12毫欧,这意味着在导通状态下,芯片自身的功耗极低,电能可以更高效地输送给负载,从而显著减少热量产生,提升整体系统效率。同时,较低的栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss)确保了快速的开关速度,让您的电路响应如电光火石,特别适合高频开关应用。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围,赋予了它适应严苛环境挑战的坚韧品质,保障您的产品在各种条件下都能稳定运行。如果您正在寻找这样一款性能与可靠性兼备的解决方案,我们的AOS授权代理团队将随时为您提供专业的技术支持与选型服务。
选择AON6410,就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。虽然该型号目前已处于停产状态,但其成熟的设计和出色的性能记录,使其在特定存量项目或对经典方案有需求的领域依然极具价值。它代表了AOS在功率半导体领域深厚的技术积淀,是帮助您优化现有设计、打造高性价比产品的智慧之选。让我们携手这颗小小的芯片,释放巨大的能量,共同点亮下一个创新产品。
- 型号:AON6410
- 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
- 封装:8-DFN(5x6)
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 10A/24A 8DFN
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A(Ta),24A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):12 毫欧 @ 20A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):28 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±12V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1452 pF @ 15 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):2W(Ta),35W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-DFN(5x6)
- 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线
- AON6410的官网价格:3000:$0.33022,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。



























