AON6452

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，一颗卓越的功率开关器件往往是决定系统成败的关键。今天，我们为您带来一款集高性能、高可靠性于一体的明星产品AON6452。它不仅仅是一个N沟道MOSFET，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的得力伙伴。凭借其出色的电气特性与稳健的物理设计，AON6452正重新定义中高功率密度应用的性能标准，让您的设计从“能用”跃升为“卓越”。

想象一下，在您的电源转换模块中，无论是AC-DC适配器、服务器电源，还是电机驱动和电池管理系统，都需要一个能够高效、快速切换大电流的“心脏”。AON6452正是为此而生。其100V的漏源电压和高达26A（Tc）的连续漏极电流承载能力，为系统提供了充沛的动力储备。更令人振奋的是，它在10V驱动下，导通电阻低至惊人的25毫欧，这意味着更低的导通损耗和更少的热量产生，直接提升了整机效率，让您的设备运行更凉爽、更持久。无论是应对工业环境的严苛挑战，还是满足消费电子对轻薄高效的追求，它都能游刃有余。

选择AON6452，就是选择了一份安心与高效。它采用了先进的SDMOS技术，确保了器件性能的一致性与长期可靠性。高达35W（Tc）的功率耗散能力，配合-55°C至150°C的宽广工作结温范围，赋予了它无与伦比的鲁棒性，轻松应对各种极端工况。其紧凑的8-DFN（5x6）表面贴装封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，更优化了散热路径，是实现高功率密度设计的理想选择。当您需要可靠、高性能的功率解决方案时，与值得信赖的AOS代理商合作，获取正品AON6452及相关技术支持，无疑是加速项目成功的最佳路径。让AON6452成为您下一个爆款产品的强大引擎，共同开启高效、可靠的电能转换新篇章。

• 型号:AON6452
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 6.5A/26A 8DFN
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.5A（Ta），26A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:7V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta），35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线
• AON6452的官网价格：3000:$0.66041，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。