




AON6588
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:8-DFN(5x6)
- 技术参数:MOSFET N-CH 30V 32A/32A 8DFN
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AON6588参数详情:
在追求极致效率与可靠性的电子设计领域,一颗强大的核心器件往往是成功的关键。今天,我们向您隆重介绍AON6588来自AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)的卓越N沟道MOSFET解决方案。它不仅仅是一个晶体管,更是您提升系统性能、释放产品潜能的动力引擎。凭借其出色的电气特性和坚固的物理设计,AON6588正重新定义着30V应用场景下的功率开关标准,为工程师们带来前所未有的设计自由度和信心保障。
想象一下,在您的同步整流、电机驱动、负载开关或DC-DC转换器中,需要一颗能够承受高电流、同时将导通损耗降至最低的开关。这正是AON6588大显身手的舞台。其高达32A的连续漏极电流能力和低至3.3毫欧的导通电阻,意味着在能量转换的路径上,阻碍被大幅削减,热量产生显著降低,系统整体效率得以跃升。无论是追求轻薄便携的消费电子,还是要求严苛的工业与通信设备,AON6588都能轻松融入,以其稳定的表现确保终端产品运行更冷静、更持久、更可靠。选择它,就是为您的产品注入了高效与耐用的基因。
那么,在众多同类产品中,为何AON6588是您的不二之选?答案在于其精妙的平衡艺术。它在提供强大电流处理能力的同时,保持了优异的开关特性,42nC的低栅极电荷有助于实现高速开关并降低驱动损耗。宽广的-55°C至150°C结温工作范围,使其能够从容应对各种恶劣环境挑战。紧凑的8-DFN(5x6)表面贴装封装,不仅节省了宝贵的PCB空间,其优化的热性能设计(Tc下功率耗散高达46W)更能确保芯片在高负载下稳定工作。当您寻求一个集高性能、高可靠性与高性价比于一体的解决方案时,AON6588已然准备就绪。如需获取详细技术资料或采购支持,我们的合作伙伴AOS中国代理将为您提供专业服务,助您将创新构想快速转化为市场领先的产品。
- 型号:AON6588
- 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
- 封装:8-DFN(5x6)
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 32A/32A 8DFN
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):32A(Ta),32A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):3.3 毫欧 @ 20A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):42 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2160 pF @ 15 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):6.2W(Ta),46W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-DFN(5x6)
- 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线
- AON6588的官网价格:None,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。



























