




AON7426_101
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:8-DFN-EP(3x3)
- 技术参数:MOSFET N-CH 30V 18A/40A 8DFN
- (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
AON7426_101参数详情:
在追求极致能效与可靠性的电力电子世界里,一颗卓越的功率开关器件往往是决定产品成败的关键。今天,我们向您隆重介绍一款在众多应用中久经考验的明星产品AON7426_101。它不仅仅是一个N沟道MOSFET,更是您提升系统性能、优化设计成本的得力伙伴。凭借其出色的电气特性和坚固的物理封装,它能够帮助您的设计在激烈的市场竞争中脱颖而出,实现从“可用”到“卓越”的飞跃。
想象一下,在您的同步整流电路中,需要一颗能够快速响应、高效导通与关断的开关;在您的电机驱动模块里,需要一颗能够承受高浪涌电流、保持低温运行的可靠核心;或者在您的DC-DC转换器和负载开关中,需要一颗在有限空间内提供强大功率处理能力的解决方案。AON7426_101正是为这些挑战而生。其30V的漏源电压和高达40A(Tc)的连续漏极电流能力,让它轻松应对中低压、大电流的严苛环境。无论是提升笔记本电脑的电源效率,还是增强便携式设备的电池管理性能,这颗芯片都能无缝融入,成为系统背后沉默而强大的力量。
为什么众多工程师在面临选型时,会持续信赖并选择这颗已进入停产状态却依然备受推崇的芯片?答案在于其无可替代的价值组合。极低的5.5毫欧导通电阻(在10V驱动下),意味着更少的导通损耗和发热,直接提升了整机效率并简化了散热设计。高达±20V的栅极耐压和优化的栅极电荷,提供了更强的抗干扰能力和更快的开关速度,让您的系统运行更稳定、更迅捷。其紧凑的8-DFN-EP(3x3)封装,在节省宝贵PCB空间的同时,通过裸露焊盘实现了卓越的热性能,确保功率能够安全可靠地释放。当您需要稳定可靠的货源和专业的技术支持时,请务必联系官方授权的AOS代理,他们能为您提供正品保障和全面的服务。选择AON7426_101,就是选择了一份经过市场验证的可靠性与高性能,它承载的不仅是电流,更是您产品成功的基石与信心。
- 制造商产品型号:AON7426_101
- 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
- 描述:MOSFET N-CH 30V 18A/40A 8DFN
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 产品系列:-
- 零件状态:停产
- FET类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):30V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):18A(Ta),40A(Tc)
- 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):5.5 毫欧 @ 18A,10V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.35V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):40nC @ 10V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2120pF @ 15V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):3.1W(Ta),29W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 器件封装:8-DFN-EP(3x3)
- AON7426_101的官网价格:停产,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。



























