AONS62614T

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，一颗强大的“心脏”往往能决定整个系统的成败。今天，我们向您隆重介绍一款能够重新定义性能标准的功率器件AONS62614T。它不仅仅是一个MOSFET，更是AOS公司AlphaSGT技术皇冠上的一颗璀璨明珠，专为应对严苛挑战而生，旨在将您的设计推向效率与功率密度的全新高度。

想象一下，在您的服务器电源、高效率DC-DC转换器或电机驱动应用中，需要处理高达60V的电压和惊人的电流。这正是AONS62614T大显身手的舞台。其N沟道设计结合仅2.5毫欧的超低导通电阻（在10V驱动下），意味着在传导大电流时，能量损耗被降至前所未有的低水平，热量产生显著减少。这不仅直接提升了系统整体效率，更能让您的设备运行更凉爽、更稳定，寿命大大延长。无论是面对数据中心永不间断的运算需求，还是工业自动化中电机启停的瞬间冲击，它都能游刃有余，提供坚实可靠的功率开关保障。

为何众多领先工程师在关键时刻选择信赖AONS62614T？答案在于其无与伦比的综合价值。它能在高达175°C的结温下稳定工作，适应极端环境；极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）确保了超快的开关速度，让您的系统响应迅如闪电，同时降低驱动损耗。紧凑的8-DFN封装在提供高达142W（Tc）散热能力的同时，极大节省了宝贵的PCB空间，是实现高功率密度设计的理想选择。当您寻求这样一款集高性能、高可靠性与高集成度于一体的解决方案时，通过值得信赖的AOS总代理获取正品AONS62614T，无疑是确保项目成功、加速产品上市的最明智决策。选择它，就是选择了一份从容应对未来功率挑战的自信与保障。

• 型号:AONS62614T
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 39A/100A 8DFN
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):39A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:90 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3660 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:7.5W（Ta），142W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线
• AONS62614T的官网价格：1:$3.59000|3000:$1.10174，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。