




AOSP36326C
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:8-SOIC
- 技术参数:MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC
- (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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AOSP36326C参数详情:
在追求极致效率与可靠性的电子设计领域,每一次元器件的选择都至关重要。今天,我们为您带来一款能够重新定义功率转换与开关控制性能的卓越解决方案AOSP36326C。这款由AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)精心打造的N沟道MOSFET,不仅仅是一个组件,更是您提升产品竞争力、实现设计突破的强大引擎。它集高性能、高可靠性与紧凑封装于一身,旨在为您的应用注入澎湃动力与非凡稳定性。
想象一下,在您的电机驱动系统中,需要快速、精准地控制电流通断;在您的电源管理模块里,追求着更低的损耗与更高的转换效率;或者在各类便携式设备、消费电子产品的负载开关与DC-DC转换器中,空间极其有限却对性能毫不妥协。AOSP36326C正是为这些挑战而生的利器。其30V的漏源电压和高达12A的连续漏极电流承载能力,让它能够轻松应对中低压、大电流的严苛环境。无论是驱动小型电机、管理电池供电系统,还是作为高效的同步整流开关,它都能确保您的设备运行得更强劲、更持久、更安静。
选择AOSP36326C,意味着您选择了一种经过市场验证的卓越价值。其核心魅力在于极低的导通电阻在10V驱动电压下,仅11毫欧的最大值,这直接转化为更低的导通损耗和更少的热量产生,让您的系统能效显著提升,续航更长,散热设计更简单。同时,优化的栅极电荷(Qg仅15nC @10V)和输入电容,确保了超快的开关速度,减少开关损耗,特别适合高频开关应用,让您的设计响应更迅捷。广泛的AOS代理商网络确保您能便捷地获得这颗优质芯片及其全面的技术支持。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围,配合可靠的8-SOIC表面贴装封装,赋予了它卓越的环境适应性和坚固性,无论是面对严寒还是酷热,都能稳定如一,极大提升了终端产品的耐用度和市场信誉。让AOSP36326C成为您下一个成功设计的基石,开启高效可靠的新篇章。
- 型号:AOSP36326C
- 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):11 毫欧 @ 12A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):15 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):542 pF @ 15 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):2.5W(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-SOIC
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154\\
- AOSP36326C的官网价格:1:$0.82000|3000:$0.19211,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。



























