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AOTF10N50FD_001供应商
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AOTF10N50FD_001
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:TO-220-3F
- 技术参数:MOSFET N-CH 500V 10A TO220-3F
- (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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AOTF10N50FD_001参数详情:
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想象一下,无论是工业电源、电机驱动,还是各类开关电源和功率转换应用,AOTF10N50FD_001都能在其中扮演关键角色。在需要高效能量管理的场景中,它出色的导通电阻(低至750毫欧)意味着更少的热量产生和更高的整体效率,直接为您节省运营成本并提升产品寿命。其坚固的TO-220-3F封装和宽广的工作温度范围(-55°C至150°C),确保了从极寒到酷热的各种环境下都能稳定工作,让您的设计无惧挑战,从容部署。
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- 制造商产品型号:AOTF10N50FD_001
- 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
- 描述:MOSFET N-CH 500V 10A TO220-3F
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 产品系列:-
- 零件状态:停产
- FET类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):500V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):10A(Tc)
- 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):750 毫欧 @ 5A,10V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):4.2V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):35nC @ 10V
- Vgs(最大值):±30V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1240pF @ 25V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):50W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:通孔
- 器件封装:TO-220-3F
- AOTF10N50FD_001的官网价格:停产,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。


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