




AOTF10N60L_002
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:TO-220-3F
- 技术参数:MOSFET N-CH 600V 10A TO220-3F
- (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
AOTF10N60L_002参数详情:
在追求极致能效与可靠性的电力电子领域,一颗强大的“心脏”往往决定了整个系统的成败。今天,我们为您隆重介绍AOTF10N60L_002这颗来自AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)的N沟道功率MOSFET,以其600V的卓越耐压和10A的强大电流承载能力,正成为工程师们应对高压、高功率挑战的得力伙伴。它不仅仅是一个电子元件,更是您提升产品性能、优化系统设计的价值放大器。
想象一下,在开关电源、电机驱动、不间断电源(UPS)以及各类工业控制设备中,高效的能量转换与精准的功率控制是何等重要。AOTF10N60L_002正是为此而生。它采用成熟的TO-220-3F封装,坚固耐用,易于安装,能够轻松融入您的现有生产流程。无论是面对严苛的工业环境,还是需要长时间稳定运行的消费类电源产品,它都能凭借其宽广的工作温度范围(-55°C ~ 150°C)和高达50W的功率耗散能力,提供坚如磐石的性能保障,让您的设计无惧挑战,稳定运行。
那么,在众多选择中,为何要信赖AOTF10N60L_002?答案在于其卓越的性能平衡与AOS一贯的品质承诺。它拥有极低的导通电阻(最大750毫欧),这意味着在导通状态下能量损耗更小,系统整体效率更高,直接为您节省运营成本并带来更环保的产品表现。同时,优化的栅极电荷特性确保了快速、干净的开关动作,减少了开关损耗和电磁干扰(EMI),让您的系统设计更简洁,性能更优越。虽然该型号已进入停产状态,但其成熟可靠的设计、经过市场长期验证的品质,以及通过AOS一级代理渠道可能获得的库存支持,使其成为特定高可靠性应用或现有产品维护升级的绝佳选择。选择AOTF10N60L_002,就是选择了一份经过时间淬炼的可靠与高效,为您的产品注入持久的生命力与市场竞争力。
- 制造商产品型号:AOTF10N60L_002
- 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
- 描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO220-3F
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 产品系列:-
- 零件状态:停产
- FET类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):600V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):10A(Tc)
- 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):750 毫欧 @ 5A,10V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):40nC @ 10V
- Vgs(最大值):±30V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1600pF @ 25V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):50W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:通孔
- 器件封装:TO-220-3F
- AOTF10N60L_002的官网价格:停产,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。



























