AOTF10N90

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，一颗强大的核心开关器件往往是决定系统成败的关键。今天，我们为您隆重介绍一款在高电压、高功率应用领域表现卓越的明星产品AOTF10N90。它不仅仅是一个MOSFET，更是您构建高效、稳定电源系统的坚实基石，以其卓越的900V高压耐受能力和高达10A的连续电流承载能力，为您的设计注入澎湃动力与非凡信心。

想象一下，在那些对电压尖峰和功率波动极为敏感的严苛环境中，例如工业电机驱动、大功率开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）乃至新能源领域的太阳能逆变器，系统稳定性的要求近乎苛刻。AOTF10N90正是为此而生。它采用先进的N沟道MOSFET技术，拥有高达900V的漏源击穿电压，能够从容应对电网波动和感性负载带来的高压冲击，为您的设备筑起一道坚固的安全防线。其TO-220-3F封装不仅提供了优异的散热性能，确保在高达150°C的结温下稳定工作，也便于安装和维护，让您的生产流程更加顺畅高效。

选择AOTF10N90，意味着您选择了一份经过市场验证的可靠性与性能的完美结合。尽管该型号已进入停产状态，但其卓越的性能参数如10V驱动电压下的低导通电阻、优化的栅极电荷以及宽广的工作温度范围使其在存量市场和高可靠性要求的延续性项目中依然极具价值。它代表了AOS在高压功率器件领域的深厚技术积淀。为了确保您能获得正品保障与可靠的技术支持，我们强烈建议您通过官方认可的AOS授权代理渠道进行咨询与采购，这不仅是产品品质的保证，更是项目长期稳定运行的坚实后盾。让这颗经典而强大的芯片，成为您提升产品竞争力、赢得客户信赖的秘密武器。

• 型号:AOTF10N90
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220F
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 10A TO220-3F
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:980 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:75 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3160 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220F
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• AOTF10N90的官网价格：None，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。