AOTF11N62

在追求极致效率与可靠性的电力电子世界，一颗强大的心脏往往决定了整个系统的成败。今天，我们为您带来这样一颗心脏AOTF11N62。它不仅仅是一个MOSFET，更是您构建高效、稳定、耐用电源解决方案的基石。凭借其卓越的620V高耐压与11A的连续电流承载能力，这颗芯片天生就是为应对严苛挑战而生，让您的设计在性能与成本之间找到完美的黄金平衡点。

想象一下，在开关电源、电机驱动、不间断电源（UPS）乃至工业照明等关键应用中，系统需要稳定处理高电压、大电流的切换。AOTF11N62正是为此场景量身打造。其N沟道设计与MOSFET技术，确保了快速、干净的开关动作，显著降低了开关损耗，让您的设备运行更凉爽、更安静、更持久。无论是面对频繁启停的电机，还是需要精密控制的功率转换模块，它都能游刃有余，将电能高效、精准地输送到需要的地方，全面提升终端产品的能效等级与市场竞争力。

为什么众多工程师在面临选型时，会毫不犹豫地选择它？答案在于其背后深思熟虑的价值设计。高达50W的功率耗散能力，配合TO-220-3F的经典封装，提供了卓越的散热性能和便捷的安装方式，大大简化了您的生产流程。极低的导通电阻（RdsOn）意味着更少的导通损耗，直接转化为更低的运行成本和更长的设备寿命。宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）则赋予了它无与伦比的环境适应性，从酷热到严寒，始终稳定如一。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，遍布全球的AOS代理网络随时准备为您服务，确保您的项目从研发到量产一路畅通。选择AOTF11N62，就是选择了一份经得起时间考验的性能承诺与安心保障。

• 型号:AOTF11N62
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220F
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 11A TO220-3F
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:650 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1990 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220F
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• AOTF11N62的官网价格：None，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。