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AOTF12T60PL

  • 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-220F
  • 技术参数:MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3F
  • (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

AOTF12T60PL参数详情:

在追求极致效率与可靠性的电力电子世界里,一颗强大的核心开关器件往往是决定系统成败的关键。今天,我们向您隆重介绍AOTF12T60PL,这颗来自AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)的N沟道功率MOSFET,以其卓越的600V耐压和12A的连续电流能力,为您的高压、高功率应用注入澎湃而稳定的动力源泉。它不仅仅是一个晶体管,更是您提升产品性能、简化设计挑战、赢得市场竞争的得力伙伴。

想象一下,在那些对效率和稳定性要求严苛的场景中,AOTF12T60PL正大显身手。无论是工业级开关电源(SMPS)中的PFC(功率因数校正)和DC-DC转换环节,还是电机驱动、UPS(不间断电源)系统、电焊机乃至高效照明驱动的核心功率开关,它都能轻松应对。其高达600V的漏源电压(Vdss)提供了充足的安全裕度,有效抵御电网波动和感性负载带来的电压尖峰,让您的系统在各种复杂工况下都坚如磐石。而12A的连续电流处理能力,则确保了充沛的功率吞吐,满足从数百瓦到千瓦级应用的严苛需求。

选择AOTF12T60PL,就是选择了一份经过验证的卓越与安心。它采用成熟的TO-220-3F封装,不仅散热性能优异,便于安装,更以其广泛的行业接受度简化了您的生产与供应链管理。尽管该型号已进入停产状态,但其卓越的性能指标如10V驱动电压下仅520毫欧的低导通电阻(Rds(on)),以及优化的栅极电荷(Qg)特性依然代表了同类产品中的高水准,能显著降低开关损耗和导通损耗,提升整机效率,同时减轻驱动电路的压力。其宽广的工作温度范围(-55°C至150°C结温)确保了在极端环境下的稳定运行。当您需要为现有经典设计寻找可靠、高性能的功率开关解决方案时,AOTF12T60PL及其可能的后继型号或替代方案,依然是值得信赖的优选。如需获取最新的产品供应与技术支持信息,我们推荐您联系官方授权的AOS代理,他们将为您提供专业的服务。

总而言之,AOTF12T60PL凝聚了AOS在功率半导体领域深厚的技术积淀。它以其坚固耐用的性能、高效的能量转换能力和广泛的应用适应性,成为工程师应对高压功率挑战的经典之选。拥抱这颗强大的“能量之心”,让您的电力电子设计在效率、可靠性与成本之间找到完美平衡,驱动下一个创新突破。

  • 型号:AOTF12T60PL
  • 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
  • 封装:TO-220F
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3F
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):600 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):520 毫欧 @ 6A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):50 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2028 pF @ 100 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):35W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-220F
  • 封装/外壳:TO-220-3 整包
  • AOTF12T60PL的官网价格:None,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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