AOTF29S50L

在追求极致能效与可靠性的电力电子领域，每一次技术突破都意味着系统性能的全面跃升。今天，我们为您带来一款重新定义功率密度的核心器件AOTF29S50L。这颗来自AOS aMOS系列的N沟道MOSFET，不仅仅是一个组件，更是您构建下一代高效、紧凑型电源解决方案的基石。它凭借500V的高耐压与29A的强劲电流处理能力，在严苛的工作条件下依然游刃有余，将导通损耗降至新低，让您的产品在激烈的市场竞争中，率先赢得能效优势。

想象一下，无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断进化的新能源与电动汽车充电设施，都需要一颗能够在高电压、大电流场景下稳定工作的“心脏”。AOTF29S50L正是为此而生。其卓越的150毫欧超低导通电阻（在14.5A，10V条件下），意味着更少的热量产生和更高的能量转换效率，直接助力您的设备实现更长的运行时间、更小的散热设计以及更低的总体运营成本。从-55°C到150°C的宽广工作温度范围，确保了它在极端环境中依然稳定可靠，让您的设计无惧挑战。

选择AOTF29S50L，就是选择了一份经得起未来考验的保障。它采用了经典的TO-220-3F封装，兼顾了优异的散热性能与广泛的安装兼容性，极大简化了您的生产流程。更低的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss）特性，使得开关速度更快，驱动更轻松，显著提升了系统的整体响应频率与动态性能。当您致力于打造更高效、更紧凑、更可靠的功率系统时，这颗芯片所提供的价值远超其本身。为确保您获得正品保障与全面的技术支持，我们强烈建议您通过官方AOS授权代理进行采购，为您的创新之旅保驾护航。

• 型号:AOTF29S50L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220F
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 29A TO220-3F
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):29A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:150 毫欧 @ 14.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.9V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1312 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:37.9W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220F
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• AOTF29S50L的官网价格：1000:$2.34666，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。