AOTF3N90

在追求更高能效与可靠性的电力电子设计前沿，一颗强大的核心器件往往能成为整个系统脱颖而出的关键。今天，我们为您隆重介绍AOTF3N90来自AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）的900V N沟道MOSFET。它不仅仅是一个开关，更是您应对高压挑战、提升系统性能的得力伙伴。凭借其卓越的900V高耐压能力和优化的动态特性，它能有效抵御线路中的电压尖峰和浪涌，为您的电源、电机驱动或照明系统构筑起坚实可靠的第一道防线，让稳定运行成为常态，让设计风险大幅降低。

想象一下，在开关电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）电路或反激式拓扑中，AOTF3N90能够从容应对高输入电压，实现高效的能量转换。在工业电机控制、变频器或是不间断电源（UPS）系统中，它那2.4A的连续电流处理能力和低至6.7欧姆的导通电阻，意味着更低的导通损耗和更少的热量产生，直接助力于提升整体能效和功率密度。无论是家用电器中的辅助电源，还是LED照明驱动，这颗芯片都能帮助您设计出更紧凑、更凉爽、寿命更长的产品，完美契合现代市场对绿色节能和迷你化设计的双重需求。

选择AOTF3N90，就是选择了一份经过验证的品质与性能保障。AOS在功率半导体领域的深厚积淀，确保了这颗芯片从晶圆到封装的每一个环节都精益求精。其TO-220-3F封装不仅提供了优异的散热性能，便于安装在散热器上，也兼容广泛的生产工艺。更低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，让驱动电路设计更为轻松，有助于减少开关损耗，提升系统在高频下的工作表现。当您需要可靠的原厂货源与技术支持时，请务必通过官方AOS授权代理进行采购，这不仅是获得正品芯片的保证，更是确保您的项目从研发到量产一路畅通无阻的智慧之选。让AOTF3N90成为您下一个成功设计的强大引擎，开启高效、可靠的电能转换新篇章。

• 型号:AOTF3N90
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220F
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 2.4A TO220-3F
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.7 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:540 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220F
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• AOTF3N90的官网价格：1000:$0.56056，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。