




AOTF8N60
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-220F
- 技术参数:MOSFET N-CH 600V 8A TO220-3F
- (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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AOTF8N60参数详情:
在追求更高能效与可靠性的电力电子世界中,一颗强大的核心开关器件往往是决定成败的关键。今天,我们为您隆重介绍一款在众多严苛应用中久经考验的功率开关解决方案AOTF8N60。它不仅仅是一个MOSFET,更是您提升系统性能、降低整体成本的得力助手。凭借其卓越的电气特性和坚固的物理设计,它能够轻松应对高电压、大电流的挑战,将能量转换效率推向新的高度,让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。
想象一下,在您熟悉的开关电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电路、电机驱动控制或是高效照明镇流器中,AOTF8N60正扮演着能量流“指挥官”的角色。它那高达600V的漏源电压耐受能力,让它在市电整流后的高压环境中稳如泰山;8A的连续电流处理能力,足以驱动从家用电器到工业设备的多种负载。无论是需要快速开关频率的现代电源,还是对热管理要求苛刻的持续运行设备,这颗芯片都能以其低导通电阻和优化的栅极电荷,实现更低的开关损耗和导通损耗,直接转化为更低的温升和更高的系统可靠性,让您的设计从图纸变为稳定运行的产品变得如此顺理成章。
那么,在众多选择中,为何工程师们对AOTF8N60青睐有加?答案在于它带来的综合价值。它采用经典的TO-220-3F封装,不仅散热性能优异,便于安装,更在PCB布局和系统集成方面提供了极大的灵活性。其宽广的工作温度范围(-55°C至150°C)确保了它在极端环境下依然能稳定工作,大大增强了终端产品的环境适应能力。选择它,意味着您选择了一个经过市场验证的、高性价比的解决方案。它能有效简化您的驱动电路设计,因为其标准的10V驱动电压与主流的控制器完美匹配。更重要的是,通过我们信赖的AOS总代理,您可以获得稳定可靠的供货渠道与专业的技术支持,确保您的项目从研发到量产一路畅通。虽然它已进入停产状态,但其卓越的性能和广泛的应用基础,使其在存量市场、特定升级方案或对经典设计有要求的项目中,依然散发着不可替代的魅力。让AOTF8N60成为您下一个成功产品的坚实基石,开启高效、可靠的电力转换新篇章。
- 型号:AOTF8N60
- 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
- 封装:TO-220F
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 8A TO220-3F
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):900 毫欧 @ 4A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):35 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1370 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):50W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220F
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
- AOTF8N60的官网价格:None,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。



























