




AOV15S60
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:4-DFN(8x8)
- 技术参数:MOSFET N-CH 600V 520MA/12A 4DFN
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AOV15S60参数详情:
在追求极致能效与可靠性的电力电子世界,一颗卓越的功率开关器件往往是决定产品成败的关键。今天,我们为您隆重介绍一款在高压、高功率密度应用中表现非凡的明星产品AOV15S60。它不仅仅是一个N沟道MOSFET,更是AOS公司aMOS系列技术的结晶,专为应对严苛挑战而生。想象一下,在高达600V的电压下,它依然能保持稳定高效的开关性能,无论是520mA的连续漏极电流,还是在优化散热条件下高达12A的强劲输出,都为您提供了前所未有的设计灵活性与性能冗余。
这款芯片的应用场景极为广泛,几乎覆盖了所有需要高效能功率转换的领域。在您精心设计的服务器电源或工业电源中,AOV15S60能够轻松胜任PFC(功率因数校正)电路或DC-DC转换器中的主开关角色,其低至360毫欧的导通电阻(RdsOn)意味着更低的传导损耗,直接转化为更高的系统效率和更低的温升。对于电机驱动、UPS不间断电源或太阳能逆变器而言,其快速的开关特性和高达±30V的栅极电压耐受能力,确保了驱动的安全与可靠,让您的系统在面对复杂负载和恶劣环境时,依然游刃有余。其紧凑的4-DFN-EP(8x8)封装,更是为空间受限的现代高密度设计铺平了道路。
那么,为什么众多领先的设计师都倾向于选择AOV15S60?答案在于它无与伦比的综合价值。它完美平衡了高压耐受、低导通损耗、快速开关以及出色的热性能。高达208W(Tc)的功率耗散能力,配合宽广的-55°C至150°C结温工作范围,赋予了产品卓越的可靠性与长寿命。这意味着,选择它,您不仅选择了一颗高性能的芯片,更是为您的产品注入了稳定运行的基因,显著降低了现场故障风险和维护成本。当您需要将如此卓越的组件集成到您的下一代产品中时,我们遍布全球的AOS代理商网络将随时为您提供专业的技术支持、可靠的供货保障和灵活的供应链解决方案,确保您的创新之旅畅通无阻。
- 型号:AOV15S60
- 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
- 封装:4-DFN(8x8)
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 520MA/12A 4DFN
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:不适用于新设计
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):520mA(Ta),12A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):360 毫欧 @ 7.5A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.8V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):15.6 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):717 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):8.3W(Ta),208W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:4-DFN(8x8)
- 封装/外壳:4-PowerTSFN
- AOV15S60的官网价格:3500:$1.72788,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。



























