




AOW10N65
- 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-262
- 技术参数:MOSFET N-CH 650V 10A TO262
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AOW10N65参数详情:
在追求更高能效与可靠性的电力电子世界,一颗强大的核心器件往往能成为您产品脱颖而出的关键。今天,我们向您隆重介绍一款能够重新定义功率转换效率与稳定性的卓越产品AOW10N65。它不仅仅是一个MOSFET,更是您应对严苛工业环境、打造下一代高效电源方案的信心之选。凭借其高达650V的漏源电压和10A的连续电流能力,它为您提供了宽广的设计裕度和坚实的性能保障,让您在面对电压波动和负载冲击时,依然能够从容不迫,确保系统的心脏强劲而稳定地跳动。
想象一下,在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源(UPS)或是高功率LED照明驱动这些对效率和可靠性要求极高的应用场景中,AOW10N65正是您理想的动力引擎。它卓越的开关特性与低导通电阻,能显著降低开关损耗和传导损耗,直接转化为更低的温升和更高的整体能效,这不仅意味着您的产品能帮助终端用户节省可观的电费,更代表着更长的使用寿命和更低的维护成本。无论是应对频繁启停的电机控制,还是需要持续稳定输出的电源模块,它都能游刃有余,将高性能与高可靠性完美融合。
那么,为何众多工程师在众多选择中,最终将信任票投给了AOW10N65?答案在于它无与伦比的综合价值。其1欧姆的超低导通电阻(在10V驱动下),意味着更小的功率损耗和更高的效率,让您的产品在能效竞赛中轻松领先。同时,优化的栅极电荷和输入电容,确保了快速、干净的开关动作,这不仅简化了驱动电路的设计,更能有效抑制电磁干扰(EMI),让您的产品轻松通过各项严苛的认证标准。此外,其坚固的TO-262封装和宽广的-55°C至150°C工作结温范围,赋予了它卓越的散热能力和环境适应性,即使在最恶劣的条件下也能稳定工作。选择AOW10N65,就是选择了一份由尖端技术与卓越品质背书的安心。如需获取正品保障与专业的技术支持,我们推荐您通过官方AOS授权代理进行采购,确保您的每一个设计都建立在最可靠的基础之上。
- 型号:AOW10N65
- 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
- 封装:TO-262
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 10A TO262
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1 欧姆 @ 5A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):33 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1645 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):250W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-262
- 封装/外壳:TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AA
- AOW10N65的官网价格:None,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。



























