AOW11S65

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，一颗强大的心脏往往决定了整个系统的成败。今天，我们为您隆重介绍一款在高压、高功率应用中表现卓越的功率器件AOW11S65。它不仅仅是一个MOSFET，更是AOS aMOS系列中的一颗明星，以其高达650V的漏源电压和11A的连续漏极电流，为您的高要求设计提供了坚实的基石。想象一下，在严苛的工业环境或需要持续稳定供电的关键设备中，它能轻松应对电压尖峰和电流冲击，将系统风险降至最低，让您的产品在竞争中脱颖而出。

这款芯片的应用场景极为广泛，几乎涵盖了所有需要高效功率转换和控制的领域。无论是服务器电源、工业电机驱动、不间断电源(UPS)，还是新能源领域的太阳能逆变器和电动汽车充电桩，AOW11S65都能大显身手。其TO-262封装提供了出色的散热能力和通孔安装的可靠性，确保在-55°C至150°C的宽广结温范围内稳定工作。这意味着，从酷寒的户外设备到持续高负荷运行的机房，它都能保持一贯的高性能，让您的终端产品无惧环境挑战，赢得用户的持久信赖。

选择AOW11S65，就是选择了一份放心的保障和卓越的价值。它拥有极低的导通电阻（最大值仅399毫欧），这意味着更小的导通损耗和更高的整体效率，直接为您节省能源成本。同时，优化的栅极电荷和输入电容特性，使得开关速度更快、驱动更简易，有助于简化您的电路设计并提升系统响应速度。当您需要可靠、高性能的功率解决方案时，通过值得信赖的AOS总代理获取这颗芯片，不仅是获得了一个顶级元器件，更是获得了一个强大的技术后盾和供应链支持，让您的创新之路更加顺畅无阻。

• 型号:AOW11S65
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-262
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 11A TO262
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:399 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:646 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:198W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• AOW11S65的官网价格：None，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。