AOW482

在追求极致效率与可靠性的电力电子世界，一颗强大的心脏往往决定了整个系统的成败。今天，我们为您隆重介绍这样一颗性能卓越、经久耐用的核心动力源AOW482。它不仅仅是一个N沟道MOSFET，更是AOS公司SDMOS系列中的明星产品，专为应对严苛应用环境而生，以其高达80V的漏源电压和卓越的电流承载能力，为您的设计注入澎湃而稳定的能量。

想象一下，在工业电机驱动、高功率DC-DC转换器、不间断电源（UPS）或是新能源逆变系统中，每一次开关动作都要求迅捷、精准且损耗极低。AOW482正是为此而来。它采用先进的MOSFET技术，在10V驱动电压下，导通电阻低至惊人的7.2毫欧，这意味着更低的导通损耗和更少的热量产生，直接提升了系统的整体能效和功率密度。无论是面对连续11A（环境温度下）的稳定工作，还是应对高达105A（壳温下）的峰值冲击，它都能从容应对，确保您的设备在-55°C至175°C的广阔温度范围内稳定运行，无惧挑战。

选择AOW482，就是选择了一份安心与高效。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，使得开关速度更快，驱动更轻松，显著降低了开关损耗，让您的电源设计在追求高频高效的道路上更进一步。TO-262的坚固封装提供了出色的散热能力和机械强度，确保在长期通孔安装应用中保持卓越的可靠性。当您需要为关键项目寻找值得信赖的功率解决方案时，这颗芯片所代表的不仅仅是参数，更是AOS对品质的一贯承诺。我们建议您通过官方授权的AOS总代理进行采购，以确保获得原装正品和全面的技术支持，让创新之路再无后顾之忧。

• 型号:AOW482
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-262
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 11A/105A TO262
• 包装:管件
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Ta），105A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:7V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.2 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.7V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:81 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4870 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），333W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• AOW482的官网价格：1000:$1.20605，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。