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AOW4S60

  • 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-262
  • 技术参数:MOSFET N-CH 600V 4A TO262
  • (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

AOW4S60参数详情:

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界,一颗强大的核心器件往往能成为整个系统脱颖而出的关键。今天,我们为您带来一款在高压开关应用中表现卓越的功率解决方案AOW4S60。它不仅仅是一个参数表上的型号,更是AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)凭借其先进的aMOS技术,为您精心打造的效率与耐久的承诺。想象一下,在严苛的工业环境或要求持续稳定的电源设计中,一颗能够从容应对600V高压、承载4A电流的N沟道MOSFET,将如何为您的产品注入强劲而稳定的心脏,让性能表现再无后顾之忧。

这款芯片的应用舞台极为广阔,从工业电源、电机驱动到不间断电源(UPS)和功率因数校正(PFC)电路,AOW4S60都能大显身手。其高达83W的功率耗散能力与宽达-55°C至150°C的工作结温范围,意味着它天生为高负荷、高环境温度的应用而生。无论是应对产线上马达的频繁启停,还是保障数据中心服务器电源的毫秒级切换,它都能提供稳定可靠的开关性能。其TO-262的通孔封装,兼顾了优异的散热能力和坚固的物理结构,非常适合对长期可靠性和散热有高要求的工业级产品设计。

那么,在众多选择中,为何独独青睐AOW4S60?答案在于它精准平衡的性能与价值。10V驱动电压下仅900毫欧的超低导通电阻,直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率,为您节省每一分能源成本。同时,极低的栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss)显著降低了开关损耗,让高频开关应用变得更为高效、温升更低。这意味着您的设备不仅能跑得更快,还能运行得更冷静、更持久。选择AOS的aMOS系列产品,就是选择经过市场验证的成熟技术与卓越品质。如需获取官方正品与专业技术支持,请务必通过AOS授权代理进行采购,这将是您项目成功与供应链安全的重要保障。让AOW4S60成为您下一个明星产品的强大内核,共同开启高效、可靠的电能转换新篇章。

  • 型号:AOW4S60
  • 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
  • 封装:TO-262
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 600V 4A TO262
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):600 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):900 毫欧 @ 2A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.1V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):6 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):263 pF @ 100 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):83W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-262
  • 封装/外壳:TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AA
  • AOW4S60的官网价格:,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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