AOWF12T60

在追求极致能效与可靠性的电力电子领域，每一次技术突破都意味着更广阔的应用可能。今天，我们为您带来一款在高压高功率场景下表现卓越的明星产品AOWF12T60。这颗来自AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）的N沟道功率MOSFET，以其600V的耐压能力和12A的连续电流承载实力，重新定义了中高功率开关应用的性能标杆。它不仅是一颗元器件，更是您提升系统效率、增强产品竞争力的得力引擎。

想象一下，在您精心设计的工业电源、电机驱动或是不间断电源（UPS）系统中，需要一颗能够稳定、高效处理高压能量的“心脏”。这正是AOWF12T60大显身手的舞台。其高达28W的功率耗散能力，配合TO-262F封装带来的优异散热特性，确保在严苛的工业环境下也能持续稳定运行，温度范围覆盖-55°C至150°C，从容应对各种挑战。无论是需要快速响应的开关电源拓扑，还是对导通损耗极为敏感的高频应用，它都能凭借低至520毫欧的导通电阻和优化的栅极电荷特性，显著降低开关损耗和传导损耗，让您的系统运行更“冷静”，能效比更出众。

选择AOWF12T60，就是选择了一份经得起考验的可靠与高效。它采用成熟的MOSFET技术，在10V驱动电压下即可实现优异的导通性能，简化了您的驱动电路设计。尽管该型号目前已处于停产状态，但其卓越的性能参数和广泛的市场验证，使其成为特定存量项目升级或追求极致成本效益方案的经典之选。对于正在寻找可靠高性能功率器件的工程师而言，通过官方授权的AOS代理商渠道，您依然可以获取到高品质的产品与专业的技术支持，确保您的供应链稳定与设计成功。让AOWF12T60的强大能量，注入您的下一个创新设计，共同开启高效、可靠的电能转换新篇章。

• 制造商产品型号：AOWF12T60
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 600V 12A TO262F
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：600V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：12A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：520 毫欧 @ 6A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：50nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1954pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：28W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-262F
• AOWF12T60的官网价格：停产，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。