AO3160E

在追求极致效率与可靠性的电子设计领域，一颗关键元器件的选择往往决定了整个项目的成败。今天，我们向您隆重介绍一款能够为您的设计注入强劲动力的核心组件AO3160E。这款来自AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）的N沟道MOSFET，以其卓越的性能和坚固的耐用性，正成为工程师们在高压、高效率应用场景中的秘密武器。它不仅是一个简单的开关，更是您实现设计突破、提升产品竞争力的可靠伙伴。

想象一下，在那些需要精准控制、高效能量转换的场合，无论是紧凑型开关电源、LED驱动电路，还是各种离线式变换器，AO3160E都能大显身手。其高达600V的漏源电压（Vdss）意味着它能从容应对严苛的高压环境，为系统提供坚实的安全屏障。而极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）则确保了超快的开关速度，显著降低了开关损耗，让您的设备运行得更安静、更凉爽、更持久。这意味着更长的产品寿命和更低的整体运营成本，直接为您和您的终端用户创造价值。

为什么越来越多的设计团队将信任票投给AO3160E？答案在于它无与伦比的综合价值。在微小的SOT-23A-3封装内，它集成了强大的性能：40mA的连续漏极电流能力，配合优化的导通电阻，在保证信号完整性的同时实现了高效能。其宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）让它无惧严寒酷暑，在各种恶劣环境下稳定工作，可靠性经得起考验。选择它，就是选择了一份安心，一份对品质的执着。如果您正在寻找稳定可靠的供货渠道与技术支持，我们的合作伙伴AOS总代理将为您提供全方位的服务与保障。让AO3160E成为您下一个明星产品的基石，开启高效、可靠设计的新篇章。

• 型号:AO3160E
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:SOT-23A-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 40MA SOT23A-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:500 欧姆 @ 16mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.2V @ 8A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:9.5 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.39W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23A-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• AO3160E的官网价格：1:$0.63000|3000:$0.14347，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。