AOB442

在追求极致效率与可靠性的电力电子世界，一颗强大的核心开关器件往往是决定系统成败的关键。今天，我们向您隆重介绍一款在众多严苛应用中久经考验的功率开关解决方案AOB442。它不仅仅是一个参数表上的型号，更是您提升产品性能、优化系统设计的得力伙伴。凭借其卓越的电气特性和坚固的物理封装，AOB442旨在为您的电源转换、电机驱动和负载开关应用注入澎湃动力与非凡稳定性。

想象一下，在您的服务器电源单元中，需要高效、快速地进行DC-DC转换；在您的工业电机驱动板上，要求器件能够承受频繁的启停和瞬间大电流冲击；或者在您的电池管理系统中，期望以最低的导通损耗来延长续航。这正是AOB442大显身手的舞台。其40V的漏源电压和高达105A（Tc）的连续电流能力，为处理各类中高功率任务提供了充裕的余量。极低的4.2毫欧导通电阻，意味着更少的能量以热的形式浪费，直接转化为更高的系统效率和更低的运行温度，让您的设备运行得更冷静、更持久。

选择AOB442，就是选择了一份经过验证的可靠性与卓越的价值。它采用成熟的TO-263（DPak）封装，不仅提供了优异的散热性能，其表面贴装形式也兼容现代化的自动化生产工艺，助力您提升制造效率。宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C）确保了它在从寒冷户外到高温机箱内的各种恶劣环境中都能稳定工作。虽然该型号已处于停产状态，但通过可靠的渠道，如官方授权的AOS总代理，您依然可以获得有保障的库存，用于现有产品的维护与特定项目的开发。这颗芯片承载着AOS在功率半导体领域深厚的SDMOS技术积淀，其优化的栅极电荷和开关特性，有助于简化您的驱动电路设计，实现整体方案的成本优化与性能提升。

• 型号:AOB442
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 21A/105A TO263
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Ta），105A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.2 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:90 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5600 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.5W（Ta），150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• AOB442的官网价格：，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。