AO4266E

在追求极致效率与可靠性的电力电子世界，一颗卓越的功率开关器件往往是决定产品成败的关键。今天，我们为您隆重介绍一款能够重新定义性能标准的明星产品AO4266E。这款来自AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）的N沟道MOSFET，以其卓越的AlphaSGT技术为核心，将高电压、大电流与超低损耗完美结合，为您带来前所未有的设计自由度和系统价值提升。想象一下，在您的电源转换、电机驱动或负载开关应用中，它能以高达60V的耐压和11A的连续电流承载能力，成为系统中最坚固、最值得信赖的“能量阀门”。

无论是高效紧凑的DC-DC转换器、需要快速响应的电机控制单元，还是对空间和散热要求严苛的便携式设备，AO4266E都能轻松胜任。它的超低导通电阻（仅13.5毫欧）意味着更少的能量以热量的形式浪费，直接转化为更长的电池续航、更低的系统温升和更高的整体效率。在-55°C至150°C的宽广工作温度范围内，它都能保持稳定的性能，确保您的产品在各种严苛环境下依然坚若磐石。当您需要一颗既能处理高功率又能保持快速开关特性的器件时，AO4266E无疑是您最明智的选择。

选择AO4266E，不仅仅是选择了一颗参数优秀的MOSFET，更是选择了一种面向未来的设计理念。其优化的栅极电荷（仅10nC）和输入电容，让驱动电路设计变得异常简单，显著降低了开关损耗，提升了系统频率和动态响应。这意味着您的产品不仅能“跑得快”，还能“跑得稳”、“跑得久”。我们深知，优秀的产品需要可靠的支持，通过遍布全球的AOS代理商网络，您可以轻松获取这颗高性能芯片以及专业的技术支持，让您的创新想法从蓝图迅速变为现实。让AO4266E成为您下一个爆款产品的强大心脏，开启高效、可靠、节能的新篇章！

• 型号:AO4266E
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 11A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:13.5 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:755 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• AO4266E的官网价格：3000:$0.24794，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。