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AOTF12T60L

  • 制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha and Omega Semiconductor)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-220F
  • 技术参数:MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
  • (专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

AOTF12T60L参数详情:

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界,一颗强大的“心脏”往往决定了整个系统的成败。今天,我们为您隆重介绍一款在众多严苛应用中久经考验的功率开关解决方案AOTF12T60L。它不仅仅是一个元器件,更是您提升产品性能、优化系统设计的得力伙伴。凭借其卓越的电气特性与坚固的物理封装,它能够轻松驾驭高压大电流环境,将能量转换效率推向新的高度,为您的产品注入澎湃而稳定的动力源泉。

想象一下,在您熟悉的那些领域,AOTF12T60L正大显身手。无论是工业级开关电源(SMPS)中担任高效的主功率开关,还是在电机驱动、不间断电源(UPS)系统中实现精准的功率控制,它都能游刃有余。其600V的高耐压与12A的连续电流能力,让它成为应对交流输入整流后高压总线环境的理想选择。在照明领域,从大功率LED驱动到HID镇流器;在消费电子领域,高性能适配器与PC电源,这颗芯片都能以其低导通损耗和优异的开关特性,帮助您实现更小体积、更高效率的设计目标,让终端产品在市场竞争中脱颖而出。

那么,在众多选择中,为何工程师们对这颗芯片青睐有加?答案在于其背后精妙的平衡艺术。它采用了成熟的TO-220F全塑封封装,在保证优异散热性能的同时,提供了更高的安装安全性与可靠性。520毫欧的低导通电阻(Rds(on))意味着更低的传导损耗,直接转化为更少的发热和更高的系统效率。同时,优化的栅极电荷(Qg)特性有助于降低驱动损耗,简化驱动电路设计,让您的系统整体运行更加“冷静”且高效。虽然该型号已进入停产状态,但其卓越的性能和广泛的应用验证,使其在特定存量项目与高可靠性设计中依然具有不可替代的价值。如需获取官方技术资料或库存支持,请务必通过正规的AOS授权代理渠道进行咨询,确保您获得原厂品质的保障与专业的技术服务。

选择AOTF12T60L,就是选择了一份经过时间淬炼的可靠与高效。它承载着AOS在功率半导体领域深厚的技术积淀,旨在帮助您攻克设计难关,缩短开发周期,最终打造出性能卓越、品质过硬的产品。让它成为您下一个成功项目的坚实基石,共同开启能效新篇章。

  • 型号:AOTF12T60L
  • 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
  • 封装:TO-220F
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):600 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):520 毫欧 @ 6A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):50 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1954 pF @ 100 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):35W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-220F
  • 封装/外壳:TO-220-3 整包
  • AOTF12T60L的官网价格:,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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