AO4496_101

在追求极致效率与可靠性的电子设计领域，一颗性能卓越的功率开关器件往往是决定产品成败的关键。今天，我们向您隆重介绍来自AOS的明星产品AO4496_101。这款N沟道MOSFET以其出色的电气性能和坚固的可靠性，正成为众多工程师在30V、10A应用场景下的首选方案，为您的电源管理、电机驱动和负载开关设计注入强劲动力。

想象一下，在紧凑的便携式设备中实现高效的电源路径管理，或是在严苛的工业环境中确保电机平稳启停，AO4496_101正是为此而生。其30V的漏源电压和10A的连续漏极电流能力，为各类中低压应用提供了充足的余量。更令人印象深刻的是，在10V驱动电压下，其导通电阻低至惊人的19.5毫欧，这意味着更低的传导损耗和更少的热量产生，直接提升了系统的整体能效和长期运行稳定性。无论是消费电子、网络通信设备，还是汽车电子模块，这颗芯片都能轻松应对，让您的产品在性能和可靠性上脱颖而出。

选择AO4496_101，就是选择了一份安心与高效。其优化的栅极电荷（仅13nC @10V）和输入电容特性，确保了快速的开关速度，减少了开关损耗，让您的系统响应更迅捷。宽广的工作温度范围（-55°C至150°C结温）和3.1W的功率耗散能力，赋予了它无与伦比的环境适应性。采用标准的8-SO表面贴装封装，不仅节省宝贵的PCB空间，也便于自动化生产。我们强烈建议您通过官方AOS授权代理进行采购，以确保获得原装正品和完整的技术支持，让您的创新之旅毫无后顾之忧。立即采用AO4496_101，开启高效、可靠的设计新篇章！

• 制造商产品型号：AO4496_101
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：10A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：19.5 毫欧 @ 10A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：13nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：715pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-SO
• AO4496_101的官网价格：停产，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。